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共251章
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版权信息
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内容简介
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前言
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第1章 绪论
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1.1 模拟集成电路的应用
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1.2 模拟集成电路设计流程
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1.3 华大九天Empyrean Aether简介
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第2章 MOS器件的基础特性
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2.1 半导体物理基础
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2.1.1 单晶硅的晶体结构
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2.1.2 半导体能带理论及载流子浓度
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2.1.3 施主与受主杂质
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2.1.4 载流子的漂移运动和扩散运动
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2.2 PN结
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2.3 MIS结构
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2.4 MOSFET结构及其基本制造工艺流程
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2.4.1 MOSFET结构
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2.4.2 基本制造工艺流程
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2.5 MOSFET的电学特性
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2.5.1 阈值电压
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2.5.2 I-V特性分析
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2.5.3 MOS器件电容
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2.5.4 小信号模型
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2.6 MOSFET的I-V特性仿真分析
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习题
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参考文献
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第3章 基本放大器
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3.1 共源放大器
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3.1.1 采用电阻负载的共源放大器
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3.1.2 采用二极管连接的MOS器件负载的共源放大器
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3.1.3 采用电流源负载的共源放大器
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3.1.4 带有源极负反馈的共源放大器
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3.2 源极跟随器
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3.2.1 直流特性分析
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3.2.2 小信号特性分析
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3.2.3 Class AB驱动器
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3.3 共栅放大器
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3.3.1 直流特性分析
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3.3.2 小信号特性分析
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3.3.3 基本单级放大器特性总结
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3.4 共源共栅放大器
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3.4.1 直流特性分析
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3.4.2 小信号特性分析
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3.5 折叠式共源共栅放大器
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3.6 基本放大器的直流特性仿真分析
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3.6.1 采用电阻负载的共源放大器直流特性仿真分析
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3.6.2 采用二极管连接的MOS器件负载的共源放大器直流特性仿真分析
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3.6.3 采用电流源负载的共源放大器直流特性仿真分析
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3.6.4 带有源极负反馈的共源放大器直流特性仿真分析
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3.6.5 源极跟随器直流特性仿真分析
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