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第2章
MOS器件的基础特性

随着CMOS工艺的进步,目前MOS器件已成为模拟集成电路的核心器件,掌握其工作原理和特性是开展模拟集成电路设计的基本要求。本章首先介绍半导体物理学的基本概念;其次,分析包括PN结和MIS结构在内的半导体基础器件结构的工作原理,这有助于读者理解MOS器件的工作原理;再次,阐述MOSFET结构及其基本制造工艺流程;最后,推导阈值电压和 I - V 特性,分析器件电容并给出用于简化电路分析的小信号模型。 z9hoTylCZV4jotln5urAtqEOPbgAQ2TfGmxeXmARDR9GSJHzJJd3w1HbycojCD3W

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