2.6 MOSFET的 I - V 特性仿真分析

利用Aether对NMOS器件的 I - V 特性进行仿真，首先调用 W / L = 600nm/180nm的NMOS器件（n18）搭建 I - V 特性仿真原理图，如图2-34所示。器件的源极和衬底分别接0V的电压源 V 1 和 V 3 ，栅极和漏极分别接电压源 V 0 和 V 2 ，它们的直流电压值分别设置为参数 V GS 和 V DS 。

利用Aether中的MDE工具设置DC仿真参数，如图2-35所示，其中通过 V DS 从0V到1.8V、 V GS 从0V到0.9V的联合扫描可获得图2-36所示的NMOS器件的输出特性仿真结果。固定 V DS 为1.8V，通过 V GS 从0V到1.8V的扫描可获得图2-37所示的NMOS器件的转移特性仿真结果。