习题

2.1 描述单晶硅的金刚石结构晶胞的结构，并计算和说明每个金刚石结构晶胞含有几个原子。

2.2 画出PN结零偏、正偏、反偏条件下的能带图，并解释PN结为什么具有单向导电性。

2.3 解释背栅效应，写出考虑背栅效应时NMOS器件的阈值电压 V TH 的表达式，并说明阈值电压与哪些因素有关。

2.4 画出栅源电容 C GS 和栅漏电容 C GD 随 V GS 变化的关系。

2.5 NMOS器件的参数如下： C ox =3.837×10 -3 F/m 2 ， μ n =350×10 -4 m 2 /（V·s）， W / L =50， V TH =0.7V，分别计算下列情况下的漏极电流 I D 和跨导 g m ：（a） V GS =0.9V， V DS =0.1V；
（b） V GS =0.9V， V DS =0.3V；（c） V GS =1.2V， V DS =0.3V；（d） V GS =1.2V， V DS =0.7V。

2.6 PMOS器件的参数如下： C ox =3.837×10 -3 F/m 2 ， μ p =100×10 -4 m 2 /（V·s）， W / L =50， V TH =-0.8V， λ =0.2V -1 ，分别计算下列情况下的漏极电流 I D 和跨导 g m ：（a） V GS =-1V， V DS =
-0.3V；（b） V GS =-1V， V DS =-0.7V。 n4mj33ebqEBpEh6AR5MLrobPvthPgwhWKDaM1cBVkgyrOYUngwOsywMB8L3E0+Hb