1.1.3 内存

内存的读写速度对计算机整体的性能影响重大。为了提升CPU的访存性能，现代通用CPU都将内存控制器与CPU集成在同一芯片内，以降低平均访存延时。内存一般采用同步动态随机存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory，SDRAM）实现。SDRAM是一种与CPU内核同步的动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。这种同步随机存储器比传统的DRAM能够更高效地运行。SDRAM可以用突发的方式传输数据序列，提高访问连续内存地址的效率。

DRAM的基本存储单元由一个金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）和一个电容组成。这种结构的设计充分利用了电容能够存储电荷的特性，以及MOSFET作为开关控制电荷存取的能力。

作为开关元件，MOSFET在DRAM中负责控制对电容的充放电操作。当MOSFET导通时，允许电流通过，从而改变电容上的电荷量；当MOSFET截止时，切断电流，保持电容上的电荷状态不变。

作为存储元件，电容用于存储代表数据位（0或1）的电荷。若电容中有电荷，代表“1”；若没有电荷，代表“0”。然而，由于电容存在漏电现象，电容上的电荷会随时间逐渐流失，因此DRAM需要定期刷新以维持数据的正确性。 f0mFvHrbneJv3Np31uBuhlxMBEc03Ofy/zsCDyP7uH6bFQYdYvrrOMK6SiQnebGN