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场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）分为结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。通常把绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）简称为电力MOSFET（Power MOSFET），它是一种单极型的电压控制全控型器件。如图2.26所示，电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，其输入阻抗高，驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工作频率高；热稳定性优于GTR；电流容量小，耐压低，多用于功率不超过10 kW的电力电子装置。电力MOSFET具有其他电力器件所不能替代的地位。
图2.26 电力MOSFET实物图
如图2.27所示，电力MOSFET按导电沟道可分为P沟道和N沟道，其具有3个引脚，其中，S为源极，G为栅极，D为漏极。每种沟道又可以分为耗尽型和增强型两种。当栅极电压为零时漏源极之间存在导电沟道的称为耗尽型。对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为增强型。在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。N沟道增强型MOSFET的基本结构示意图如图2.27（a）所示。
图2.27 电力MOSFET的结构和电气图形符号
如图2.27（a）所示，当漏源极间接正向电压，栅极和源极间电压为零时，P基区与N漂移区之间形成的PN结J 1 反偏，漏源极之间无电流流过，此时，电力MOSFET处于截止状态。
当栅极和源极之间加一正向电压 U GS ，正向电压会将P区中空穴推开，而将P区中的少子吸引到栅极下面的P区表面。当 U GS 大于阈值电压 U T 时，使P型半导体反型成N型半导体，该反型层形成N沟道而使PN结J 1 消失，漏极和源极导电，形成漏极到源极的电流 I D ，从而电力MOSFET导通。 U GS 超过 U T 越多，导电能力越强，漏极电流 I D 越大。
电力MOSFET的静态特性表现为转移特性和输出特性，如图2.28所示。
1）转移特性
如图2.28（a）所示，转移特性是指漏极电流 I D 和栅源间电压 U GS 的关系，反映了输入电压和输出电流的关系。当 I D 较大时， I D 与 U GS 的关系近似线性，曲线的斜率被定义为MOSFET的跨导 G fs ，即
2）输出特性
如图2.28（b）所示，输出特性是指电力MOSFET的漏极伏安特性。从图中看出，输出特性包含截止区（对应于GTR的截止区）、饱和区（对应于GTR的放大区）、非饱和区（对应于GTR的饱和区）3个区域。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
图2.28 电力MOSFET的转移特性和输出特性
由于电力MOSFET本身结构的原因，漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管，使得在漏极和源极间加反向电压时器件导通。因此，在需要承受反向电压的场合使用时，应在电力MOSFET电路中串入快速二极管。
1）开通过程
如图2.29所示，开通时间 t on ＝ t d（on） ＋ t ri ＋ t fv ，其中 t fv 表示电压下降时间； t d（on） 是开通延迟时间，表示从 u p 前沿时刻到 U T 并开始出现漏极电流 i D 时刻的时间； t ri 是电流上升时间，表示 i D 从零上升到稳态值的时间。
2）关断过程
如图2.29所示，关断时间 t off ＝ t d（off） ＋ t rv ＋ t fi ，其中， t d（off） 表示关断延迟时间； t rv 表示电压上升时间； t fi 表示电流下降时间。电力MOSFET不存在少子储存效应，其关断过程非常迅速。开关时间为10～100 ns，其工作频率可达100 kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。
图2.29 电力MOSFET的开关过程波形
漏极电压是指漏源极间能承受的最高工作电压，标称电力MOSFET电压定额的参数。
漏极直流电流和漏极脉冲电流幅值标称电力MOSFET电流定额的参数。
栅源之间的绝缘层很薄，
＞ 20 V将导致绝缘层被击穿。
漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力MOSFET的安全工作区。一般来说，电力MOSFET不存在二次击穿的问题，安全工作区范围较宽。