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3.2 半导体器件开关特性

在模拟电路中,二极管工作在正向导通或反向截止状态,晶体管工作在放大状态。在数字电路中,二极管、晶体管和场效应晶体管往往工作于截止或饱和状态,即工作于“开”或“关”的状态,是构成电子开关的基本器件。

3.2.1 半导体二极管的开关特性

半导体二极管是一种具有单向导电特性的半导体器件。当给二极管外加一定的正向电压时,二极管正偏导通,正向电阻很小;当外加反向电压时,二极管反偏截止,反向电阻很大,可近似看成一个开关。图3-3所示是硅半导体二极管的结构和伏安特性,它具有下列开关特性。

图3-3 硅半导体二极管的结构和伏安特性

1.截止

当外加电压 u D <0.5V时,二极管工作在死区,二极管截止, i D ≈0,如同一个断开的开关。当外加反向电压大于 U BR 时反向饱和电流会急剧增加,二极管就会因过热而击穿损坏。

2.导通

当外加正向电压 u D >0.7V时,二极管导通,而且一旦导通之后,就可近似地认为 u D ≈0.7V不变,如同一个具有0.7V电压降的闭合的开关。

3.2.2 晶体管的开关特性

在数字电路中,晶体管作为电子开关工作在截止和饱和状态,即工作于“开”或“关”的状态。NPN型晶体管开关电路如图3-4a所示。晶体管C、E两极之间相当于开关,其饱和及截止状态相当于开关的闭合及断开。晶体管的输出特性曲线如图3-4b所示。晶体管有截止、放大、饱和三种工作状态。

图3-4 晶体管开关电路及输出特性

1.截止

当输入信号使 u BE U T =0.7V时(NPN型管),发射结和集电结均处于反向偏压下; i B ≤0, i C ≈0,晶体管截止,相当一个断开的开关。输出为高电平,输出特性如图3-4b所示,其等效电路如图3-5a所示。

2.饱和

随着输入电压 u i (正电压)增大,当 i B I BS I BS 称为临界饱和基极电流)时, i B 增大, i C 不再增大, i C 达到最大值 I CS I CS 称为集电极饱和电流),晶体管进入饱和区。电路刚好饱和时,称为临界饱和,集电极和发射极之间的电压降 U CES 很小(硅管约为0.3V,锗管约为0.1V),且集电结和发射结均处于正偏状态。根据图3-4a所示电路可以计算出:

晶体管饱和时,对于硅管来说, U BES =0.7V, U CES =0.3V,晶体管C、E极之间如同具有0.3V电压降的闭合开关,其等效电路如图3-5b所示。

图3-5 硅晶体管直流等效电路

例3-1 】一个电路如图3-4a所示。(1)已知 V CC =6V, U CES =0.2V, I CS =10mA,求集电极电阻 R C 的值。(2)已知晶体管的 β =50、 U BE =0.7V、输入高电平 u i =2V,当电路处于临界饱和时, R B 值应是多少?

:(1)

(2)临界饱和时, i B = I BS

3.2.3 场效应晶体管的开关特性

场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。FET又分为绝缘栅型场效应晶体管(IGFET)和结型场效应晶体管(JFET)两种类型。结型用于线性电路,绝缘栅型用于数字电路。现常用的绝缘栅型场效应晶体管是由金属-氧化物-半导体组成的,故又简称为MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管。根据导电沟道不同,MOS管可分为N沟道和P沟道两类,简称为NMOS管和PMOS管,每一类又分为增强型和耗尽型两种。栅-源电压 u GS 为零时漏极电流也为零的管子属于增强型管;栅-源电压 u GS 为零时漏极电流不为零的管子属于耗尽型管。下面以N沟道增强型MOS管(增强型NMOS管)为例介绍其开关特性。

N沟道增强型MOS管的输入输出特性曲线如图3-6a所示,开关电路如图3-6b所示。N沟道增强型MOS管的开关特性如下:

1.截止

u i = u iL < U T U T >0,为开启电压)时,NMOS管截止,因为漏极和源极之间还未形成导电沟道,NMOS管如同一个断开的开关。 i D =0, u o = V DD -i D R D V DD = V OH 。漏极D和源极S间呈现高电阻,约为10 9 Ω以上,相当于开关断开,其等效电路如图3-6c所示。

2.导通

u i = u iH U T 时,NMOS管是导通的,在数字电路中,NMOS管导通时,一般都工作在可变电阻区,其导通电阻 R ON 只有几百欧,较小。由于场效应晶体管的导通电阻 R ON R D ,所以输出电压 = V OL ≈0,即输出低电平。D极与S极之间相当于开关闭合,如图3-6d所示。

图3-6 N沟道增强型MOS管的输出特性和开关特性

思考与练习

3.2-1 二极管作为开关应用时,呈现的瞬态开关特性与理想开关有哪些区别?

3.2-2 什么是晶体管的饱和状态?如何判断晶体管处于导通、饱和和截止状态?

3.2-3 数字电路中的晶体管工作在何种工作状态?它与放大电路中的晶体管有何不同?

3.2-4 数字电路中的场效应晶体管工作在何种工作状态?如何判断MOS管所处的工作状态? 4+3GEecRP2QnZVYX4X2mCa/aEXt1vkSpSCx+zQvjFJrfz6Lc5PrNwx87KhniVZuo

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