硅（Si）衬底氮化镓（GaN）基发光二极管（Light Emitting Diode, LED）的生长与制造是一项极具吸引力也极具挑战性的研究工作。GaN和Si衬底之间晶格常数和热膨胀系数的巨大差异，使得GaN外延薄膜在生长结束后的降温过程中受到巨大的应力而产生裂纹。采用图形化衬底和氮化镓铝/氮化铝（AlGaN/AlN）缓冲层等技术，可以控制外延薄膜所受的应力，成功地生长无裂纹且具有低位错密度的GaN外延层。同时，利用有源区中的V形缺陷屏蔽位错、调控应变、增强载流子注入等，研制出高发光效率的LED外延结构。此外，在制造工艺方面，硅衬底GaN基LED芯片与蓝宝石衬底LED芯片有很大的差异，由此开发出具有多项独特单元技术的垂直薄膜芯片结构。 1yEpHgwP7NP7R0ItQ4pq8BEG8XBZq0teImqmYIgPXZ5QBipSHS4yVlIVAB0Z0jI4