2.1 概述

在高性能电子装备中，电磁场、结构位移场、温度场之间的相互联系更为紧密，如图2-1所示，对电子装备性能的影响也更为突出。因此，深入研究高性能电子装备机电热场耦合关系，对高性能电子装备的研制，具有重要的理论意义与工程应用价值。

针对大型反射面天线、平板裂缝天线、有源相控阵天线、高密度机箱机柜等典型电子装备，需建立其电磁场、结构位移场、温度场之间的场耦合理论模型。其中，反射面天线与平板裂缝天线是电子装备中结构位移场与电磁场的耦合问题比较突出的两种微波设备。针对此耦合问题，需建立反射面天线和平板裂缝天线结构位移场与电磁场的两场耦合理论模型（即机电两场耦合模型），并通过实例进行正确性验证。基于反射面天线和平板裂缝天线机电两场耦合模型，建立从结构设计变量（类型、拓扑、形状、尺寸）到电性能的优化设计模型，为典型装备的机电耦合设计奠定理论基础。

对于有源相控阵天线和高密度机箱机柜等电子装备，其场耦合关系则表现为电磁场、结构位移场、温度场的三场耦合，相互关系更为复杂。为此，需首先研究电磁场、结构位移场、温度场的三场耦合理论问题，建立有源相控阵天线和高密度机箱机柜的机电热三场耦合模型，并通过典型案例进行正确性验证。 gs0vbU334Z6WZiyGy0IcdBge64kMFYl0zwSwzrMgKcxEhl58HOMX95W5U1Rm6MZi