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1904年，人类历史上第一只电子管在英国物理学家弗莱明（John Ambrose Fleming）的手下诞生，开启世界进入电子时代的大门。1946年，世界第一台电子管计算机在美国诞生，该机采用18000只电子管，占地170平方米，重达30吨（算力还不及x86）。1947年，世界第一个晶体管在美国贝尔实验室发明出来，晶体管为之后集成电路的发展奠定了元器件基础，如图1.1所示。1958年，世界上第一块集成电路在美国诞生，如图1.2所示。1960年初，世界上第一块用平面工艺制造出的实用化集成电路诞生，集成电路的发明为人类开创了微电子时代的新纪元，如图1.3所示。
图1.1 世界上第一个晶体管及发明者
图1.2 世界上第一块集成电路及发明者
图1.3 世界上第一块平面工艺集成电路及发明者
20世纪50年代的中国大地，新中国成立后百废待兴，国家领导人号召旅居海外的科学家和留学生回国参与国家建设。在祖国的召唤下，王守武、黄昆、谢希德、林兰英等一批海外科学家相继回到祖国。
1950年，在美国普渡大学获得博士学位并留校任教的王守武带着妻女，搭乘轮船回到了祖国，在中国科学院应用物理研究所工作。
1951年，黄昆放弃可能获得诺贝尔物理学奖的机会，从英国回到祖国，把半导体介绍到国内来。黄昆在英国布里斯托大学求学，攻读当时刚刚形成学科的固体物理学博士学位。在国外期间，他先后提出“黄漫散射”“黄方程”“黄-佩卡尔”，在国际物理领域享有盛名。
1952年，谢希德从美国回国，在上海复旦大学物理系和数学系从事基础教学工作。谢希德在美国史密斯学院攻读研究生，又进入麻省理工学院物理系攻读博士。获得博士学位后，她继续在麻省理工学院任博士后研究员，从事锗半导体微波特性的理论研究。
1956年，我国发出“向科学进军”的号召，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家新技术。中国科学院应用物理所首先举办了“半导体器件短期培训班”，请回国的半导体专家讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路，参加培训班的约100人，这个培训班被戏称为“中国半导体的黄浦军校”。
同年，北京大学、复旦大学、东北人民大学（今吉林大学）、南京大学和厦门大学五所高校联合在北京大学开办我国第一个半导体物理专业培训班。黄昆担任教研组主任，谢希德担任教研组副主任，短时间内就开设出了半导体物理、半导体器件、晶体管原理、半导体材料、固体物理、半导体专门化实验等系列课程。
1957年，五校联合的培训班培养出了我国第一批半导体专业毕业生，如图1.4所示，为我国半导体事业的发展奠定了基础。从这个培训班走出来的学生有：王阳元（中国科学院院士、北京大学教授）、许居衍（中国工程院院士、华晶集团原总工程师）、俞忠钰（原电子工业部总工程师）和侯朝焕（中国工程院院士，科学院声学所所长）等，他们都在半导体领域成为了行业专家。
图1.4 北京大学第一届半导体方向毕业生与黄昆合影（黄昆：前排左二）
1958年，我国半导体领域最早的一本专著《半导体物理学》问世，这部书是由黄昆与谢希德合著，成为当时我国半导体物理专业学生和研究人员必读的标准教材和参考书，如图1.5所示。
图1.5 黄昆、谢希德合著的《半导体物理学》（图片来源：孔夫子旧书网）
从此，中国半导体教育的大门被打开。随后，清华大学等全国多所高校先后开设半导体专业。清华大学在这个阶段成立“无线电研究所”，承担“1125工程”，用晶体管研发国家航空管制的重大专项。此外，清华大学58级的无线电专业基础课已有晶体管放大电路、晶体管脉冲数字电路、半导体物理学……紧跟国内外的发展。
与此同时，半导体产业界也在紧锣密鼓的推进着科研突破。
1957年，王守武在北京电子管厂拉制出了国内第一根锗单晶（北京电子管厂是现在中国半导体显示面板龙头企业京东方的前身）。中国依靠自主技术研发，相继研制出锗的点接触二极管和三极管。
同年，林兰英从美国回到国内，在中国科学院物理研究所工作。林兰英在美国宾夕法尼亚大学先后获得物理学硕士、博士学位，成为该校建校215年来首位取得博士学位的中国人，也是该校第一位女博士。1955年，林兰英在博士毕业后进入企业，进行半导体材料研究，由于突出表现，一年多的时间里被提薪3次。不过，她放弃高薪，克服种种阻挠回到祖国。
1958年，在林兰英的带领下，我国拉制出第一根硅单晶，成为世界上第三个生产出硅单晶的国家。同年，王守武组织创立我国第一个晶体管工厂——中国科学院109厂，该厂为我国109乙型计算机提供锗晶体管材料。
1959年，林兰英创造性地拉制出了单晶硅，仅比美国晚5年。同年，从俄罗斯留学回国，参与清华大学半导体教研组的李志坚（中国科学院院士、清华大学微电子研究所所长），带领团队拉制出了高纯度多晶硅。
1960年，王守武推进筹办中科院半导体所，标志着中国半导体工业体系初步建成。
1961年，中国第一块锗集成电路研制出来，次年硅集成电路的研究工作开始推进。
1962年，天津拉制出化合物半导体砷化镓单晶（GaAs）。同年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究照相制版和光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管，工艺改进后研制出硅外延平面型晶体管。
1965年，中国第一块硅集成电路诞生。1966年，中国已经制成了自己的小规模集成电路。紧接着，晶体管收音机、晶体管计算机相继诞生。
20世纪60年代中后期，我国相继在半导体材料、高性能的晶体管和半导体（晶体管）产品上取得突破，这些半导体产品不仅满足了国内经济和人民生活的需求，也开始占领国际市场。与此同时，本来早于我国硏发晶体管的苏联，放慢了对晶体管及其产品的硏发（他们从宇航抗辐射出发，转而研发指型电子管。指型电子管是一种小拇指大小的电子管），因此在半导体领域我们追赶的目标就仅剩下美国了，我国在半导体领域不断追赶，和国际水平的差距越来越小。
中国半导体的起步，在第一批留学回国的产业前辈的引领下，实现了开门红，可谓是群星闪耀的良好开局。