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DirectFET是一种采用表面贴装技术的半导体器件 [16] ，器件的源极和栅极直接连接到硅片表面，能够有效地改善器件的热特性和电特性（如引线电感和阻抗）。Direct FET器件的典型接触点配置如图1-69所示，图中的G为栅极，S为源极，D为漏极。Direct FET器件可以采用环氧树脂和聚酰亚胺玻璃纤维的基板，也可以采用铝碳化硅（AlSiC）和铜制造的绝缘金属基板。Direct FET器件在很多应用中可以不要散热器，但是为了获得更好的冷却效果，往往建议使用散热器。
图1-69 Direct FET器件的典型接触点配置（器件底部）
为了使散热器更加稳固，建议将其安装在基板上，如图1-70所示。然而，如果板面积有限，仍然可以直接将散热器放在器件上面。当散热器置于器件上方，且没有采取任何机械式固定将散热器固定到基板上时，必须考虑散热器上潜在的机械式应力。该应力将会被转移到器件上，并可能造成机械损坏，后果严重时会造成器件失效。
图1-70 把散热器安装在基板上
DirectFET器件目前有Sx、Mx、Lx多种外壳尺寸和器件外形。例如，采用Lx系列外形的器件有L4、L6、L8不同封装形式。L4外形封装器件的焊盘设计实例如图1-71所示。相关焊盘位置的精度控制在±0.065mm。基板上的栅极和源极焊盘每端都大了0.025mm（0.001in）。漏极焊盘宽度增加了0.500mm（0.020in）。漏极和源极焊盘采用两个或者三个分立的焊盘形式，可以提高焊点质量。
图1-71 L4封装器件的焊盘设计实例
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