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在电路验证过程中，大多数公司都有一套相对比较成熟的测试方案。例如，依靠温箱中的高温、低温测试来暴露潜在的问题，等等。
这是一种暴露问题的方式，但 仅仅依靠测试是不够的 。原因在于，由于参数的随机分布，用于测试的样本电路板无法完全代表将来规模生产的大批量电路板。所以，仅仅依靠测试，无法暴露将来大批量生产电路板的所有潜在故障。
这一点，和不能通过抽样10个学生的考试分数来代表整个学校考试成绩，是同样的道理。虽然抽样值可以在一定程度上代表研究对象的特征，但希望仅此就能获得研究对象的所有特性，是不可能的。
研发测试侧重于给被测设备加足够应力，以达到尽早暴露产品隐患的目的。但由于研发测试时抽样电路板数目有限，无法覆盖到参数分布极限值的情况，所以指望研发测试能发现所有潜在缺陷是不现实的。 也就是说，除非在测试中特别地挑选处于最小值、最大值边界的元器件，否则，对有限数目电路板进行的研发测试，均只能认为是基于元器件典型值的验证。这种测试并不能完全揭示长时间工作中，元器件在性能、可靠性上存在的潜在隐患。
为了解决这个问题，需将测试和关键参数计算结合起来。
某设计使用ADI公司的监测控制芯片对输入电压 V IN 做欠压（Under Voltage，UV）监测和过压（Over Voltage，OV）监测。当 V IN 低于欠压门限或者高于过压门限时，通过将MOSFET关断以保护后续电路。
设计要求：正常工作时，输入电压 V IN 范围为50V±10%（即45～55V），电路板中挂在 V IN 上的负载芯片，允许电压最大极限值为65V。
设置过压门限和欠压门限的分压电路如图1.25所示。根据以上要求，设计者使用了5%精度的电阻。
图1.25 设置过压门限和欠压门限的分压电路
〖讨论〗
由于OV和UV门限的考虑方式相同，所以只以OV为例。
参考ADI公司本案例所用芯片手册中对OV门限参数的定义，如图1.26所示。
图1.26 芯片手册中对OV门限参数的定义（截图）
该参数的典型值为3.5V，最小值为3.43V，最大值为3.56V。
下面根据参数值推算本电路的过压门限。在推算过程中，需考虑芯片手册OV参数值的偏差、分压电路电阻阻值的偏差（分压电路采用了精度为5%的电阻）。为方便起见，图1.25中已经标出了各电阻阻值的最小值、典型值、最大值，在下面的过压门限值的计算中，可以直接使用。
①过压门限最小值。
取电阻阻值依次为47.4kΩ、1.15kΩ、3.32kΩ，OV门限取最小值3.43V。
相对应的过压门限最小值为3.43V/（3.32kΩ）×（47.4kΩ+1.15kΩ+3.32kΩ）=53.6V。
②过压门限典型值。
取电阻阻值依次为49.9kΩ、1.21kΩ、3.16kΩ，OV门限取典型值3.5V。
则过压门限典型值为3.5V/（3.16kΩ）×（3.16kΩ+1.21kΩ+49.9kΩ）=60V。
③过压门限最大值。
取电阻阻值依次为52.4kΩ、1.27kΩ、3.00kΩ，OV门限取最大值3.56V。
相对应的过压门限最大值为3.56V/（3.00kΩ）×（3.00kΩ+1.27kΩ+52.4kΩ）=67.2V。
经以上计算，可以求出该电路过压门限值的典型值为60V，考虑偏差后，参数值范围为53.6～67.2V。
再回顾设计要求，正常输入 V IN 范围为45～55V，在这个范围内监测电路不能触发过压保护；负载芯片耐压最大值为65V，过压保护门限应低于65V，才能实现对负载芯片的保护。
依据以上关系绘制出图1.27。
图1.27 过压监测门限范围与正常工作电压范围示意图
设计的保护电路，过压门限典型值为60V，满足以上要求。但若考虑参数值偏差，过压门限可能低至53.6V，高至67.2V，则依据图1.27，可能使电路存在两个隐患：
隐患1： 输入电压 V IN 为53.6～55V时，仍属于正常范围，但过压监测门限范围最低会到53.6V，所以，在该正常的输入电压范围内却可能触发过压保护，MOSFET断开，负载断电。这种情况属于误报过压。
隐患2： 若因异常导致输入电压 V IN 高于65V，可能导致负载芯片损坏，但过压监测门限范围最高会到67.2V，所以，该异常的，甚至灾难性的电压发生时，可能无法触发过压保护。这种情况属于漏报过压，保护电路没有起到应有的保护作用。
那么，应如何设计保护电路，才能满足本案例的要求呢？
期望的情况是，将过压监测门限范围设置为55～65V，如图1.28所示。
图1.28 期望的过压监测门限范围示意图
仍使用ADI公司的该款监测控制芯片，只需要修改分压电路电阻的精度为1%，就能满足以上要求。修改后，过压监测门限范围为57.8～62.3V，计算过程不再赘述。
〖扩展〗
通过本案例可以看出，在设计中涉及门限参数值的设定时，元器件参数偏差的影响很大，不能凭感觉估计，必须根据元器件偏差进行详细计算。一个好的设计习惯是，将门限范围计算结果标在原理图上，便于原理图完成后的设计评审。
从本案例可以看出，原设计是存在隐患的，但希望通过测试来发现该隐患是很困难的。原因如上文所述，测试电路板所用元器件的参数值虽然存在偏差，但根据正态分布（假定器件参数值满足正态分布），参数值最大可能性仍然位于标称值附近，这样得到的测试电路板的过压门限大致也位于标称值60V附近，并不会触发电路异常。只有在批量生产之后，当样本数目足够多了，原设计隐患才能暴露出来。因此，仅仅依靠研发测试，很多时候无法在批量生产之前暴露产品由于参数偏差而存在的隐患。电路参数计算是研发测试的重要补充之一。