2.2.1 闪存单元与结构

闪存单元与传统CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体器件）单元相比，增加了一层浮栅（Floating Gate），如图2.9所示。浮栅与衬底（Subtrate）之间有一层氧化物绝缘层，称为隧穿层。闪存单元通过施加电压将电子充入浮栅。由于隧穿层的存在，电子不容易逃逸，因为浮栅可以较为稳定地保持电子的状态，从而表示闪存单元的状态。

闪存单元通过感应和改变浮栅中电荷的多少对数据进行读写。写入数据时向浮栅注入电荷形成电荷势阱，以表示数据“0”；浮栅中未注入电荷表示数据“1”。读数据时通过感知位线上的电平高低来识别“0”和“1”。

闪存单元可根据每个存储单元存储比特的多少分类，包括SLC（Single Level Cell，单级单元）、MLC（Multi Level Cell，多级单元）、TLC（Triple Level Cell，三级单元）和QLC（Quad Level Cell，四级单元）等，如图2.10所示。SLC表示一个存储单元只存储1比特。这时候只需要区分浮栅上是否存有一定量的电荷即可。MLC表示一个单元存储2比特。这时候不但要区分该单元是否存储了电荷，还需要判断其存储了多少电荷，且需要控制对浮栅编程的电荷数量。TLC表示一个存储单元存储3比特。QLC表示一个存储单元存储4比特。以TLC模式举例，将TLC存储的比特，分为Lower Bit、Upper Bit和Extra Bit，读取Lower Bit需要一个读电压即可，读取Upper Bit和Extra Bit则需要多个读电压。

闪存具有如下特性。

写前擦除： 在闪存中，闪存单元的编程为单向编程，即仅支持从状态“1”写为状态“0”，而不支持从状态“0”写为状态“1”。闪存在重写一个页前，需要进行擦除操作。闪存以页为单位读写，以块为单位擦除。

读写粒度与擦除粒度不同： 闪存的读、写及擦除操作的延迟差异较大。单个闪存页的读平均延迟为十微秒量级，写平均延迟为百微秒量级，而擦除的平均延迟在毫秒量级。

磨损问题： 闪存单元具有有限次的P/E（Programming/Erase，擦/写）操作，即每个闪存单元具有有限的寿命。闪存单元在接近擦写次数极限时，无法可靠存储数据状态。这被称为闪存的耐久性（Endurance）问题。尽管存储密度得以提升，单位容量价格降低，但闪存的耐久性问题却愈加严峻。每个SLC闪存单元可承受100000次P/E操作，每个MLC闪存单元可承受10000次P/E操作，而每个TLC闪存单元可承受的P/E操作次数仅为1000次。

为避免P/E操作引入的延迟，闪存采用异地更新的策略进行页重写，即将新的页重定向到空闲闪存页，并标记当前页为无效页，以进行后续回收。

在SSD内部，闪存芯片通过不同的通道连接到闪存控制器，如图2.11所示。在闪存芯片中，单个芯片封装了多个颗粒，每个颗粒可独立执行指令。每个颗粒包含多个闪存片，每个闪存片拥有独立的寄存器，可提供多闪存片之间的流水指令执行。

NAND芯片内部结构如图2.12所示，该图展示了一个Target的结构。一个封装的NAND芯片内部可能包含多个Target，每个Target都由一个独立的片选信号CE#控制，每个Target可能包含多个LUN（Logic Unit Number，逻辑单元号）/芯片（Die），通常为1个、2个、4个或8个等，LUN是执行指令的最小单元，不同的LUN可以并行地执行指令。每个LUN内，可以被划分为一个或者多个平面，每个平面对应一组闪存块和一个缓存。闪存块是执行P/E操作的最小单位，由若干个WL（Word Line，字线）控制的存储单元组成。页（Page）是执行读/写操作的最小单位，对于TLC而言，一个WL对应3个页，包括数据部分和冗余部分（带外数据）。除了不同LUN之间可以并行执行指令外，同一个LUN内部的不同平面也可以并行执行一些操作。

通过不同级别的并发，SSD可提供充足的访问带宽。这一特性被称为SSD的内部并发特性。表2.1给出了SSD与磁盘的性能比较。