2.1.2 混合集成混沌半导体激光器

混合集成混沌半导体激光器是将分立的激光器芯片、扰动元件及其他相关功能元件，组合安装在同一衬底上制作而成。

太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室和中国科学院半导体研究所合作研制了混合集成混沌半导体激光器 ^[14] 。如图2-7所示为研制的集成混沌半导体激光器的结构示意图和实物图，其采用DFB激光器芯片、准直透镜、透反镜、聚焦透镜、光纤组件耦合的形式，其中透反镜对DFB激光器芯片提供单腔反馈，准直透镜和聚焦透镜整形光路以提高耦合效率，光束由光纤组件尾纤输出，可产生时序峰峰值为30 mV、频谱宽度大于5 GHz、无时延信息的混沌激光，具体将在2.2节详细介绍。