附录
国内外半导体器件的型号及命名法

国内外半导体器件的型号及命名法如下。

（1）中国晶体管型号命名法 中国晶体管按国家标准GB/T 249—2017《半导体分立器件型号命名方法》规定的中国半导体器件型号命名法命名。具体命名方法如下：

1）半导体器件型号的组成：

2）型号组成部分的符号及其意义。中国晶体管型号组成部分的符号及其意义见表4.A-1。

（2）日本晶体管型号命名法 日本晶体管型号均按日本工业标准JIS—C—7012规定的日本半导体分立器件型号命名方法命名。日本半导体分立器件型号由五个基本部分组成，这五个基本部分的符号及其意义见表4.A-2。

日本半导体分立器件的型号，除上述五个基本部分外，有时还附加有后缀字母及符号，以便进一步说明该器件的特点。这些字母、符号和它们所代表的意义，往往是各公司自己规定的。

后缀的第一个字母，一般是说明器件特定用途的。常见的有以下几种：

M：该器件符合日本防卫厅海上自卫参谋部的有关标准。

N：该器件符合日本广播协会（NHK）的有关标准。

H：日立公司专门为通信工业制造的半导体器件。

K：日立公司专门为通信工业制造的半导体器件，并用采用塑封外壳。

Z：松下公司专门为通信设备制造的高可靠性器件。

G：东芝公司为通信设备制造的器件。

S：三洋公司为通信设备制造的器件。

后缀的第二个字母常用来作为器件的某个参数的分档标志。例如，日立公司生产的一些半导体器件，是用A、B、C、D等标志说明该器件的 β 值分档情况。

几点说明如下：1）根据命名方法可以归纳出日本半导体分立器件型号的特征，即型号中的第二部分均为字母“S”。凡是以“1S”开关的半导体器件，都是日本生产的半导体二极管；凡是以“2S”开关的半导体器件，大都是日本生产的半导体三极管，或是具有三个有效电极（屏蔽用接地极不算有效电极）的场效应管、单结晶体管、晶闸管等半导体器件。2）根据型号第三部分的字母可以判断出是PNP型还是NPN型，但不能确定是何种材料（硅或锗），也不能确定其功率大小。这一点与我国命名方法不同。3）型号中第四部分的数字只是该器件在JEIA注册登记的顺序号，并不反映器件性能上的任何特征。顺序号相邻的两个器件，在特性上可能相差很远，例如，2SC1103和2SC1104，前者PCM=200mW，而后者PCM=20mW。一般情况下，顺序号可以反映形成产品的时间上的先后，登记号数越大，越是近期的产品。4）有些半导体器件外壳上所标的型号往往采取简化方法，一般把型号前两部分省去。例如，2SD764简化为D764，2SC502A简化为C502A。

（3）欧洲晶体管型号命名法 欧洲国家大都使用国际电子联合会标准半导体分立器件型号命名方法对晶体管型号命名。这种命名法由四个基本部分组成。这四个基本部分的符号及其意义见表4.A-3。

几点说明如下：1）由上述命名法可知，凡是型号以两个字母开头的半导体分立器件，特别是型号开头的第一个字母是A、B、C、D或R的半导体分立器件，大都是欧洲的产品，或是按欧洲厂商专利生产的产品。2）凡是使用现行欧洲通用半导体分立器件型号命名法的产品，由型号中第一个字母可以立即确定器件所使用的材料。例如型号第一个字母为A的是锗管，为B的是硅管。但是无法判别是PNP型还是NPN型管，这点与我国半导体器件型号命名法不同，应特别注意。3）型号中的第二个字母表示器件类别和主要特点，只要记住各个字母的意义，不查手册也可判断出类别。例如BU206型管，一看便知是硅大功率开关管。4）型号中的第三部分为登记序号，只表明是通用器件或专用器件，没有别的含义。序号相邻的两个器件，特性可能差别很大，例如AC187K与AC188K序号相邻，但前者为NPN型管，而后者为PNP型管。5）型号中的第四部分是使用字母对同一型号的器件按某一特性进行分档。例如三极管可以根据其 β 值或噪声系数等进行分档。

（4）美国晶体管型号命名法 美国许多电子公司分别研制与生产了各种各样的半导体分立器件，并将其生产专利输往各国。这些半导体器件的型号原来都是由厂家自己命名的，所以十分混乱。为了解决美国半导体分立器件型号统一的问题，美国电子工业协会（EIA）的电子器件工程联合委员会（JEDEC）制定了一个标准半导体分立器件型号命名法，推荐给半导体器件生产厂商使用。由于种种原因，虽有大量半导体器件按此命名法命名，但未能完全统一各厂商产品的型号，所以美国半导体器件型号有以下两点不足之处：1）有不少美国半导体分立器件型号仍是按各厂商自己的型号命名法命名，而未按此标准命名，故仍较混乱。2）由于这一型号命名法制定较早，又未作过改进，所以型号内容很不完备。

EIA的半导体分立器件型号命名方法规定，半导体分立器件型号由五部分组成，第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间三部分为型号的基本部分。这五部分的符号及意义见表4.A-4。

几点说明如下：1）除去前缀之外，凡是型号以1N、2N、3N……开头的半导体分立器件，大都是美国制造的产品，或属美国专利由其他国家制造的产品。2）由美国半导体器件型号的内容只能判断出器件是二极管、三极管或多个PN结的器件，而无法判断出其类型。例如，整流二极管、稳压二极管、检波二极管、开关二极管等各种二极管的型号都是以1N开头。而以2N开头的三极管，既可能是普通晶体管、也可能是场效应管；既可能是大功率管、也可能是小功率管等。3）型号中第四部分的数字，只是标出该器件在美国电子工业协会的登记号，而没有其他含义。特别应当注意的是登记号相邻的两种器件，其特性可能相差非常大。例如2N3451为硅PNP型小功率三极管，而与其登记号相邻的2N3452则是场效应管。4）不同厂家的性能基本一致的半导体器件都使用同一个登记号，所以型号相同的器件可以通用。有时为了区分同一型号中某些参数的差异，往往使用不同的后缀字母。

（5）欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：

第一部分：O—半导体器件。

第二部分：A——二极管、C——三极管、AP——光电二极管、CP——光电三极管、AZ——稳压管、RP——光电器件。

第三部分：多位数字——器件的登记序号。

第四部分：A、B、C……表示同一型号器件的变型产品。 0PQx4ZxtarJuE9m5kmp10LYH/8hP6j9rLETl/y4TgwM1xf+niLpfsJshXI9fWi45