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除上面介绍的主流功率器件外，还出现了很多种器件结构，下面简单介绍。
➢闸流管（thyratron），1926年美国GE公司的艾伯特·赫尔发明，闸流管是一种充电管，由阳极、阴极和栅极构成，管内充有一定数量的气体（汞、氢、氦等）。
➢引燃管（ignitron），1933年美国西屋电气公司工程师约瑟夫·斯莱皮恩（Joseph Slepian）发明。引燃管是具有尖端点火极的汞腔阴极器件，它通过触发引弧极，在阳极和汞腔里的阴极之间起动汞弧来导通电流。
➢IPM（intelligent power module），智能功率模块，三菱公司1990年推出。IPM由IGBT芯片、逻辑、控制、检测和保护电路集成在一个模块，不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性。
➢IEGT（injection enhancement gate transistor），电子注入增强型栅极晶体管，是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由于IEGT具有比IGBT更强的通流能力，可用于大功率领域。
➢IGCT（integrated gate-commutated thyristor），集成门极换向晶闸管，是在GTO的基础上研制出的改良器件，是由门极换向晶闸管（GCT）和门极驱动电路集成而来，由ABB公司1997年推出。
➢ETO（emitter turn-off）晶闸管，发射极关断晶闸管，由美国Alex Huang教授于1998年发明。由门极关断晶闸管（GTO）和功率MOSFET集成基础上开发而来。
➢IGCT-Plus，清华大学曾嵘教授团队结合直流电网核心设备（直流断路器、电压源换流器、直流变压器）本质属性，率先开展适用于直流电网的定制化IGCT-Plus设计与研制工作，带领国内功率器件厂家成功研制了直流电网定制化的4in和6in IGCT-Plus器件，以实现不同应用场景的高可靠、低成本、低损耗大容量电能传输的目标。