知识点巩固练习题

1.填空：当半导体掺杂浓度很高时，电子可借隧道效应穿过势垒，从而形成低阻值的（）接触。

2.填空：在N阱CMOS工艺中，P型衬底必须接（），N阱必须接（）。

3.简答：为什么CMOS逻辑门的功耗非常低？

4.填空：1Å=（）nm。

5.单项选择：位于栅与沟道之间的氧化层被称为（）。

A.栅氧层

B.场氧层

6.填空：半导体中电子的迁移率是空穴迁移率的（）倍。

7.填空：鳍式场效应晶体管的英文缩写是（）。

8.填空：在集成电路领域，描述某一层电阻率特性的参数是（）。

9.填空：Poly2主要用于制作（）和（）。

10.单项选择：在CMOS工艺中，（）可以用作可变电容。

A.PIP电容

B.MIM电容

C.MOS电容

D.MOM电容

11.多项选择：在CMOS工艺中，需要额外制版和光刻的电容是（）。

A.PIP电容

B.MIM电容

C.MOS电容

D.MOM电容

12.单项选择：在CMOS工艺中，两个极板在同一层的电容是（）。

A.PIP电容

B.MIM电容

C.MOS电容

D.MOM电容

13.填空：CMOS电感通常用（）层金属制作。

14.判断：在CMOS工艺中纵向PNP型晶体管比横向PNP型晶体管的电流放大系数低。

15.简答：在N阱CMOS工艺中，为什么纵向PNP型晶体管的集电极C必须接地？

16.设计流程熟练度训练：重复练习本章中的示例流程，做到脱离本书、独立、顺利和快速。

17.用Pin List方法自动生成一个符号图，端口命名规则如下：左侧有5个输入端口（left ₁ 、left ₂ 、left ₃ 、left ₄ 和left ₅ ），右侧有2个输出端口（out ₁ 和out ₂ ），上面有3个输入端口（top ₁ 、top ₂ 和top ₃ ），下面有4个输入端口（bo ₁ 、bo ₂ 、bo ₃ 和bo ₄ ）。（提示：在生成过程中会多次出现对话框，要注意每个对话框的内容是否完整，不能简单一路单击OK按钮！） 0TVQxQWXvRc+2Oa/TJjeNIAb1FQo5O+OtW1f8pJnq+V4+GegCBA7sZoDvrNNbXb5