术语表

架构：计算机的基本设计和设计思想。

栅极（Gate）：控制晶体管开关的端子，有些地方也称为“门”。

编译：将编程语言写的源代码转换成计算机可以直接执行的机器语言。

半导体：具有介于导体和绝缘体之间的性质，且能控制电流的物质。

芯片：半导体集成电路。

晶圆：由单晶硅制成的圆柱薄片，用作芯片制造的材料。

晶体管：能放大或切换电信号的半导体器件。

专用芯片：例如谷歌的AI（人工智能）芯片或苹果的CPU（中央处理器）等。

通用芯片：市场上销售的普通用途的芯片，例如存储芯片或英特尔的CPU等。

芯片代工厂：专门生产芯片的企业，按芯片设计公司的设计方案制造芯片的工厂。

光罩：用于光刻技术在硅片上转印元件或电路图案的原板。

光刻：将光罩的图案转印到芯片的技术。

前道工艺：晶圆制造，在晶圆上制造元件的过程。

后道工艺：封装测试，将芯片连接到封装材料并进行密封的过程。

摩尔定律：芯片的集成度每18个月到2年翻倍的经验法则。

存储芯片：用于存储数据的芯片。

逻辑芯片：用于数据处理的芯片，主要包括CPU、GPU（图形处理器）等通用处理器及FPGA（现场可编程门阵列）、CPLD（复杂可编程逻辑器件）等专用性较强的处理器。

ASIC：专用集成电路，Application Specific Integrated Circuit的缩写，指专门针对某一特定用途的集成电路，也就是专用芯片。

CAD：计算机辅助设计，Computer-Aided Design的缩写，用于计算机辅助设计的工具。

CMOS：互补金属氧化物半导体，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor的缩写，是一种集成电路的设计工艺，一个用P型和N型晶体管互补工作的电路。其截面结构是金属（M）-氧化膜（O）-半导体（S），因此晶体管也被称为MOS管。

CPU：中央处理器，Central Processing Unit的缩写，用于进行数据处理的芯片。

DRAM：动态随机存取存储器，Dynamic Random Access Memory的缩写，用于临时存储数据的内存芯片。

EDA：电子设计自动化，Electronic Design Automation的缩写，指自动执行半导体和电子设备的设计工作，或指与其相关的工具和软件。

EUV光刻：极紫外线（Extreme Ultraviolet）光刻，指最先进的、使用波长很短（10～14纳米）的极紫外线进行曝光的技术。

Fin FET：Fin场效应晶体管，Fin Field-Effect Transistor的缩写。与传统在芯片表面制造的晶体管相比，为了增强栅极的控制能力而采取立体结构。因为它像鱼的鳍（Fin）而得名。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。

Flash：闪存，用于长期存储数据的内存芯片，有NAND型和NOR型。

FPGA：现场可编程门阵列，Field-Programmable Gate Array的缩写，指制造后可以通过编程设计的集成电路。

GAA：全环绕栅极，Gate All Around的缩写。与FinFET相比，为了进一步增强栅极的控制能力而开发的一种栅极环绕通道的新型晶体管的结构。

GPU：图形处理器，Graphics Processing Unit的缩写，指擅长并行处理，且适用于图形和AI处理的芯片。

IMEC：微电子研究中心，Interuniversity Microelectronics Centre的缩写，是位于比利时的在微细加工技术方面引领世界的研究机构。

SoC：系统芯片，System on a Chip的缩写，将处理器核心、微控制器、专用功能等集成在一块芯片上，设计为具有系统功能的芯片。

TSMC：台湾积体电路制造股份有限公司，Taiwan Semiconductor Manufacturing Company的缩写，简称台积电，是世界上最大的芯片代工厂，成立于1987年，是全球第一家专业集成电路制造服务（晶圆代工）企业，其总部与主要工厂位于中国台湾的新竹科学园区。

VLSI：超大规模集成电路，Very Large Scale Integration的缩写，集成了10万个以上的晶体管的大规模且复杂的芯片。