缩写词表

符号

A DG模型中的表面面积和参数

AR　深宽比

B DG模型参数

c 浓度

C 电容

CD　关键尺寸

D 扩散系数

d 深度，厚度

DC　直流

dc　占空比

E 能量和杨氏模量

ε 电场

EPC　每循环刻蚀深度

EPE　边缘放置误差

ER　刻蚀速率

ERNU　刻蚀速率不均匀性

G °　标准吉布斯自由能

GPC　每循环生长厚度

磁场

H °　标准焓

h 高度

h _G 气相传输系数

I 电流

J 粒子通量

K 传输概率

k 常数，系数，例如反应速率或溅射系数

M 原子质量

N 数量，例如：分子数、吸附的表面位点数量等。

n （气体）密度

r 原子间距离或半径

R 反应速率

RIE　反应离子刻蚀

R _p ，Δ R _p 投影射程和偏差

S 刻蚀协同作用

S °　标准熵

s 粘附系数

SR　溅射速率

T 温度

t 时间

V 电压或电势

v 速度

V _LJ Lennard-Jones势能

w 宽度

X 电抗

Z 原子数

希腊符号

θ 相对于表面法线的角度

σ 横截面

ω 圆频率

τ 特征时间

κ 介电常数

Δ　差

ε 能量差，例如势阱的深度

α ， β ALE工艺的步骤A和B中的刻蚀量

Σ 薄膜应力

Δ Φ _Mott Mott势（eV）

Γ 溅射产率

Θ 表面覆盖率

ν 体积

λ 波长

下标

0　表示初始值

a　激活

A　吸附，吸附物

b　底部

B　偏置

c　电容性的

ca　阴极

col　碰撞

D　解吸

DC　直流

dense　致密形貌

diff　扩散

diss　离解

e　电子

G　气体

i　离子

iso　孤立形貌

im　撞击

in　进入的

iz　离子化

kin　运动的

M　最大

m　最小

n　中性

ox　氧化

p　等离子体

RF　射频

S　表面

sol　溶液

sh　鞘层

sp　溅射

sw　侧壁

t　顶部

th　阈值

out　离开的

ox　氧化物，氧化

w　器壁

缩写词

AC　alternating current　交流

AFM　atomic force microscopy　原子力显微镜

ALE　atomic layer etching　原子层刻蚀

ALD　atomic layer deposition　原子层沉积

AR　aspect ratio　深宽比

ARDE　aspect ratio dependent etching　深宽比相关刻蚀

BARC　bottom antireflective coating　底部抗反射涂层

BCA　binary collision approximation　二元碰撞近似

BEOL　back end of line　后段工艺

BPS　bounded plasma system　有界等离子体系统

BPSG　boron phosphorous silicon glass　硼磷硅玻璃

BST　barium strontium titanate: Ba ₁ _-x Sr _x TiO ₃ 钛酸锶钡：Ba ₁ _-x Sr _x TiO ₃

CAIBE　chemically assisted ion beam etching　化学辅助离子束刻蚀

CBRAM　conductive bridge random access memory　导电桥接随机存取存储器

CCP　capacitively coupled plasma　电容耦合等离子体

CD　critical dimension　关键尺寸

CDE　chemical downstream etching　化学引发刻蚀

CFSTR　continuous flow stirred tank reactor　连续流搅拌釜反应器

CM　Cabrera-Mott oxidation model　Cabrera-Mott氧化模型

CMOS　complementary metal-oxide-semiconductor　互补金属氧化物半导体

CMP　chemical mechanical polishing　化学机械研磨

CVD　chemical vapor deposition　化学气相沉积

DARC　dielectric antireflective coating　电介质抗反射涂层

DC　direct current　直流

DFT　density functional theory　密度泛函理论

DG　Deal-Grove oxidation model　Deal-Grove氧化模型

DMAC　dimethyl aluminum chloride　二甲基氯化铝

DRAM　dynamic random access memory　动态随机存取存储器

ECP　electro copper plating　电镀铜

ECR　electron cyclotron resonance　电子回旋共振

ESC　electrostatic chuck　静电卡盘

FEOL　front end of line　前段工艺

FeRAM　ferroelectric random access memory　铁电随机存取存储器

FET　field effect transistor　场效应晶体管

FG　floating gate　浮动栅极

FinFET　fin field effect transistor　鳍式场效应晶体管

FTIR　Fourier transform infrared spectroscopy　傅里叶变换红外光谱

GAA　gate-all-around （transistor）　围栅（晶体管）

GST　germanium，antimonium，and tellurium　锗、锑和碲

HPEM　hybrid plasma equipment model　混合等离子体设备模型

IAD　ion angular distribution　离子角分布

IBE　ion beam etching　离子束刻蚀

ICP　inductively coupled plasma　电感耦合等离子体

IED　ion energy distribution　离子能量分布

IIP　ion-ion plasma　离子-离子等离子体

ILD　inter-layer dielectric　层间电介质

LEIS　low energy ion spectroscopy　低能离子谱

LELE　Litho-Etch-Litho-Etch multipatterning　光刻-刻蚀-光刻-刻蚀多重图案化

LER　line edge roughness　线边缘粗糙度

LWR　line width roughness　线宽粗糙度

LSS　Lindhard，Scharff，and Schiott theory　Lindhard、Scharff和Schiott理论

MD　molecular dynamics　分子动力学

MEMS　micro-electromechanical systems　微机电系统

MEOL　mid end of line　中段工艺

MMP　mixed mode pulsing　混合模式脉冲

MRAM　magnetic random access memory　磁性随机存取存储器

MOSFET　metal oxide semiconductor field effect transistor　金属氧化物半导体场效应晶体管

NAND　logic gate with “false” output if all inputs are “true.” This type of logic gates is used in flash memory devices.3D NAND is an implementation of flash memory devices where the gates are stacked in the third dimension inside tall vertical channels　如果所有输入为“真”，则输出为“假”的逻辑门。这种类型的逻辑门用于闪存器件。3D NAND是闪存器件的一种实现方式，其中栅极在高垂直通道内的第三维度中堆叠

ONON　oxide-nitride-oxide-nitride 3D NAND　氧化物-氮化物-氧化物-氮化物3D NAND

OPOP　oxide-polysilicon-oxide-polysilicon 3D NAND　氧化物-多晶硅-氧化物-多晶硅3D NAND

OxRAM　metal oxide resistive random access memory　金属氧化物电阻式随机存取存储器

PIC　particle-in-cell plasma model　质点网格法等离子体模型

PVD　physical vapor deposition　物理气相沉积

PCM　phase change memory　相变存储器

PSD　power spectral density　功率谱密度

PZT　lead zirconate titanate: Pb（Zr _x Ti ₁ _-x ）O ₃ 锆钛酸铅：Pb（Zr _x Ti ₁ _-x ）O ₃

QCM　quartz crystal microbalance　石英晶体微天平

ReRAM　resistive random access memory　电阻式随机存取存储器

RF　radio frequency　射频

RG　replacement gate　替换栅极

RIBE　reactive ion beam etching　反应离子束刻蚀

RIE　reactive ion etching　反应离子刻蚀

SADP　self-aligned double patterning　自对准双重图案化

SAQP　self-aligned quadruple patterning　自对准四重图案化

SCM　storage class memory　存储级内存

SE　spectroscopic ellipsometry　椭圆偏振光谱法

SEM　scanning electron microscopy　扫描电子显微镜

SIMS　secondary ion mass spectrometry　二次离子质谱

SIT　sidewall image transfer　侧壁图像转印

SRIM　“stopping and range of ions in matter” program　“物质中离子的阻止和范围”程序

SOS　spacer-on-spacer implementation of self-aligned quadruple patterning　侧墙上的侧墙自对准四重图案化的实现

STI　shallow trench isolation　浅沟槽隔离

TCP　transformer coupled plasma　变压器耦合等离子体

TEM　transmission electron microscopy　透射电子显微镜

TMA　trimethylaluminum　三甲基铝

TPD　temperature programmed desorption　程序升温解吸

TRIM　“transport of ions in matter” program　“物质中的离子传输”程序

TSV　though silicon via　硅通孔

TWB　tailored waveform bias　定制波形偏置

UHV　ultra-high vacuum　超高真空

VUV　vacuum ultraviolet light　真空紫外光

ZBL　Ziegler，Biersack，and Littmark model　Ziegler、Biersack和Littmark模型

常数

e 基本电荷量：1.60217662×10 ^-19 C

ε ₀ 真空介电常数：8.8541878128（13）×10 ^-12 F/m

ε 介电常数

k _B 玻尔兹曼常数

R 普适气体常数

N _A 阿伏伽德罗常数

单位

Å　埃（长度）

C　库仑（电荷）

℃　摄氏度（温度）

deg，°　度（角度）

eV　电子伏特（能量）

F　法拉（国际单位制中电容的标准单位）

h　小时（时间）

K　开尔文（温度）

L　Langmuir（表面覆盖率）

m　米（长度）

min　分钟（时间）

Pa　帕斯卡（压力）

s　秒（时间）

Torr　托（压力）