译者序

集成电路制造向几纳米节点工艺的发展，需要具有原子级保真度的刻蚀技术，原子层刻蚀（ALE）技术应运而生。

本书涵盖了定向和各向同性ALE的最新研究和进展，以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例，例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀，而不是试图全面描述工艺挑战和解决方案，有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解以及为现有和新兴的半导体器件开发特定的解决方案。

本书作者Thorsten Lill博士是美国泛林集团（Lam Research）新兴刻蚀技术和系统事业部副总裁。他在德国弗莱堡大学获得物理学博士学位，并在美国阿贡国家实验室进行博士后研究，在该领域发表了88篇文章，拥有89项专利。

本书概念清晰，资料丰富，内容先进，对集成电路、微电子相关专业高年级本科生和研究生及工程技术人员具有较高的参考价值。

本书全文由浙江大学信息与电子工程学院丁扣宝翻译，由于译者水平有限，译文难免有不妥和错漏之处，敬请读者指正。

丁扣宝
于浙江大学求是园