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共面波导（coplanar waveguide，CPW）是由C.P. Wen于1969年提出的一种所有导体都位于介质基片的同一表面上的平面传输线，共面波导结构和电磁场分布如图3.10所示。共面波导的导带与接地面处于同一个平面上，这样和地接通时不需要像微带那样在介质基片上打孔，给加工制作带来很大方便。共面波导传输的模式是准TEM模，不存在下限截止频率。准TEM模又可分为奇准TEM模和偶准TEM模，取决于两槽之间的电场是同向的还是反向的，同向的为前者，反向的为后者。
图3.10 共面波导结构和电磁场分布
假设金属厚度为零，介质基片无穷宽，在此条件下，共面波导的特性阻抗 Z c 近似表示为：
其中，
。
K
是第一类完全椭圆积分；
K
（
k
）/
K
（
k′
）和
的比值由式（3.44）定义。
共面波导的优点：
（1）由于导带和接地面共平面，更容易与有源、无源电路串联或并联而不需要在基片上打接地通孔，特别适合制作包含有源器件的混合电路和单片集成电路。相比之下，微带电路接地必须使用通孔。对于毫米波频段的微波单片集成电路（MMIC）设计，即使是难以触摸的接地效应也会变得明显起来。例如，两个靠得很近的通孔之间就有明显的耦合效应，在这种情况下，电流会拥挤到每个通孔的一边，电感量将远高于预期值。
（2）相邻信号线之间接地面的存在（相当于提供了屏蔽），使得信号之间的串扰很小，通过降低寄生参量（比如减小集总元件的寄生电容量），可以提高电路的密集程度。
（3）具有椭圆极化磁场，可以用来制作非互易铁氧体器件。
（4）特性阻抗由导带宽度和槽线宽度共同决定，设计的灵活度更大。给定的特性阻抗可通过任意导带和槽线宽度的组合来实现。
（5）传输的准TEM模色散非常低，具有构建宽带电路和器件的潜力。
（6）更适合设计毫米波电路。在毫米波频段，GaAs基片上共面波导的损耗和色散效应等于或者优于同一基片上的微带。在给定横截面的情况下，共面波导的最小损耗发生在特性阻抗约为60 Ω 处；而微带的最小损耗发生在其特性阻抗约为25 Ω 处，此时微带的物理尺寸远远大于共面波导。
共面波导与微带的特性对比见表3.4。
表3.4 共面波导和微带的特性对比
背面导体覆盖的共面波导（conductor-backed coplanar waveguide，CBCPW）有时也称为接地共面波导（grounded coplanar waveguide，GCPW），其物理结构和横截面示意图如图3.11所示。这种波导的导波结构结合了微带和共面波导的特点，由于背面金属导体的存在，不仅增强了电路的机械强度，也增加了功率容量 [8] ，背面导体还可以作为有源电路的散热片。CBCPW的两侧还可以封闭起来使基板上层的接地面和背面的接地面连接，构造侧面封闭的电路结构 [9] （如图3.12所示），进一步减少电磁泄漏。由于CBCPW不仅在介质底面有接地面，且在介质顶部信号传输线两侧也分布着接地面，因此具有更大的接地面积。得益于这种增强的接地结构，通过适当的设计，CBCPW电路能够获得比微带电路宽得多的阻抗范围，并且能够更好地抑制寄生模式。随着频率的变化，CBCPW的有效相对介电常数的变化比微带要小 [10] 。CBCPW电路能够显著地减少辐射损耗、色散，以及寄生模式传播，因此经常使用在比微带电路高得多的频率（如毫米波频段）上 [10] 。
图3.11 背面导体覆盖的共面波导（CBCPW）
图3.12 侧面封闭的CBCPW
CBCPW的有效相对介电常数 ε re 和特性阻抗 Z c 可以通过式（3.55）和式（3.56）计算 [11] ：
式中，
。其中，
h
为介质基板的厚度，
ε
r
为介质基板的相对介电常数，
t
为介质基板四周金属镀层的厚度，
W
为中心导体的宽度，
s
为中心导体与两侧接地面之间的空气间隙宽度，
K
（
k
）为第一类完全椭圆积分。上述计算公式也适用于侧面封闭的CBCPW。
CBCPW还可以构造折叠型电路，其折叠结构如图3.13所示，也就是将对称结构变为不对称结构。由于CBCPW背面有接地面，可以将正面的接地面折叠到背面来减小电路尺寸，同时不会引起电路性能的较大变化 [12] 。图3.13中折叠结构可看成将CBCPW正面的一半接地面折叠到背面，与背面的接地面相连（其中一部分重合）。其中，1、3、4为接地面，2为导带，5和6为侧面金属导体。
图3.13 CBCPW折叠结构
需要说明的是，共面波导（CPW）和CBCPW是两种不同的传输线，相同条件下两者的特性阻抗相差较大。CBCPW具有背面的接地，因此也可以打接地通孔，不仅可更灵活接地，还可抑制谐波，而且有可能构造类似基片集成波导（SIW）那样的新型电路。
共面带线（coplanar strips，CPS）的结构如图3.14所示。其特性阻抗 Z c 和有效相对介电常数 ε re 可分别表示为 [13]
图3.14 共面带线结构
式中，
K （ k′ ）有时候也写作 K′ （ k ）。