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相比于晶体管，晶闸管具有四层半导体和三个PN结，如图2.17a所示。其中晶闸管的阳极（Anode）由P 1 层引出，阴极（Cathode）由N 2 层引出，门极（Gate）由P 2 层引出。晶闸管的电气符号如图2.17c所示。
此外，晶闸管内部的P 1 、N 1 、P 2 三层半导体和N 1 、P 2 、N 2 三层半导体可以分别等效为PNP型和NPN型两个晶体管，如图2.17b所示。晶闸管独特的工作原理与其内部结构密不可分。
图2.17 晶闸管的结构与电气符号
在如图2.18所示的双晶体管模型和外部电路中，当发射极电流较低时，NPN和PNP晶体管几乎没有放大能力，但发射极电流建立后，放大能力迅速提高。因此，当外部触发电流 I G =0时，等效NPN和PNP晶体管均处于截止态； I G >0时，存在一个正反馈过程使得晶闸管饱和导通，具体过程如下：
图2.18 双晶体管模型和外部电路
1）当在晶闸管阳极和阴极之间施加电压 U AK ，门极也加上足够的门极电压 U G 时，门极电流 I G 在NPN型晶体管中产生放大的集电极电流 I c2 。
2）NPN型晶体管的集电极同时也是PNP型晶体管的基极，因此 I c2 流出PNP型晶体管的基极从而使PNP型晶体管导通。
3）而PNP型晶体管的集电极连接NPN型晶体管的基极，PNP型晶体管的集电极电流 I c1 流入门极。
4）上述过程循环作用，产生正反馈，使两个晶体管饱和导通，因此晶闸管由阻断迅速转为导通状态。
正反馈导通工作原理如图2.19所示。
图2.19 正反馈导通工作原理图
由上述导通工作原理不难发现，一旦晶闸管导通后，撤掉门极驱动信号并不能使晶闸管关断。因此晶闸管是半控型器件，即控制信号仅能控制其开通，无法控制其关断。若要使已经导通的晶闸管关断必须破坏晶闸管导通后的正反馈过程，这可以通过减小晶闸管的导通电流来实现。