下载掌阅APP，畅读海量书库
立即打开
2.3节介绍的晶体管结构简单，是一个三层半导体器件，具有两个PN结。一些常用功率半导体器件在晶体管基本结构的基础上加以改进，衍生出了功能各异的半导体器件。其中晶闸管是一类早期得到广泛应用的器件，且在高压直流输电等高压大功率场合沿用至今。
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），简称为可控硅。1956年美国贝尔实验室（Bell Laboratories）发明了晶闸管，到1957年美国通用电气公司（General Electric）开发出了世界上第一只晶闸管产品，并于1958年使其商业化。其能承受的电压和电流容量是目前电力电子器件中最高的，而且工作可靠。