LIM的分析模型如图2-1所示,为了分析的方便,首先做如下假设:
1)坐标系固定在初级上,初级绕组分布在有限区域。
2)气隙磁场只包含 y 方向分量,且和 y 坐标无关;行波磁场及电机运行方向沿 x 坐标。
3)次级电流只沿着 z 方向流动。
4)初级铁心叠片和次级铁轭磁导率为无穷大。
5)初级端部半填充槽效应可通过选用合适的初级绕组函数来等效。
6)次级端部电气参数全部归算到初级。
7)所有电磁场参量为 x 和 t 的正弦函数,且只考虑各场量的基波分量。
图2-1 LIM结构参数与性能指标间的相关系数
采用麦克斯韦方程,根据文献[18]可推导出气隙磁通密度方程如下:
式中,
σ
e
为次级板等值电导率;
为气隙合成磁通密度的复量形式(以下相关量均表示复数形式);
V
2
为电机沿
x
方向的运动速度;
为初级电流层的等效电流密度;
,其中
为初级电流产生的磁通密度的
y
分量,
为次级电流产生的磁通密度的
y
分量(包括基波分量
和边端效应分量
);
。
化简式(2-1),可得
绕组函数 N ( x )可以通过简单导体数目的计算来获得,如图2-2a所示。从左至右计算导体数目:当电流流向纸外, N ( x )增加;电流流向纸内, N ( x )减小。按照上述规则,绕组函数的变化如图2-2b所示。
对闭环路径 A 1 A 2 A 3 A 4 A 1 可用安培环路定律求得磁场强度为(见图2-2c)
图2-2 初级单相绕组函数示意图
式中, i 为绕组电流; N ( x )可理解为用绕组电流归一化后的磁动势,它与绕组分布和电机的几何结构相关。
按照绕组函数的求解规则,画出了一台LIM的初级三相绕组函数分布图,如图2-3所示。其中电机极数为8,每极每相槽数为3,绕组跨距为7槽。
对图2-3中的三相绕组函数进行傅里叶分解,并只考虑基波分量,可得到如下表达式:
图2-3 初级三相绕组函数分布图
式中, N s = K p K d N a ,其中 K p 和 K d 为绕组短距系数和分布系数; N a 为每极每相绕组的串联匝数。
采用旋转电机的 α-β 变换方法,将坐标固定在LIM的初级上,根据磁链守恒变换原则,可得 α-β 坐标下的绕组函数表达式为
上述推导未考虑初级绕组端部半填充槽的结构特点。为表征半填充槽给电机三相初级绕组带来的不平衡影响,这里通过选择 β 轴和 α 轴的起始位置来折中,如图2-4所示。假设在电机初级有效范围内, β 轴滞后于 α 轴半个极距(其中初始角度 δ 为绕组开始取值的角度,实际中该角度不为0,但是它不影响后面用绕组函数计算的电感值。为了简单起见,一般取 δ =0)。比如一台4极电机, N αs ( x )的角度为[0,4 τ ],而 N βs ( x )的角度为[ τ/ 2,9 τ /2],在[0, τ /2]内 N βs ( x )=0。该等效方法可以理解为:在两相坐标系中,每对极的磁动势由两相绕组共同作用产生,而LIM的端部绕组只有中间的一半,即可近似认为在端部区域内,绕组函数的取值范围减少半个极距。相关方法由Lipo教授于1979年提出,然后由Dawson教授于1993年进一步完善发展。大量的试验表明:上述方法合理有效,计算出来的LIM特性变量和实际测量值基本接近,可以简化工程计算难度 [325] 。
图2-4 两相静止坐标下初级绕组函数示意图
次级绕组函数是一个抽象的概念,其表达式可以从场的分布求得。气隙中的磁通密度
用绕组函数
和等效电流
表达为(均用复量形式)
初级磁通密度
由初级电流
i
s
产生(只考虑基波分量)
这里设定次级绕组函数由两个独立分量组成,即基波分量
和边端效应分量
。两个绕组函数分量在电气上独立,各自的变化互不影响。但它们影响
α-β
坐标中电感参数的变化,后面将具体分析。
次级磁通密度的基波分量为
式中,
为次级支路基波电流;
是式(2-2)的稳态分量,分别求解如下:
由电机的T型等效电路及一维场理论,可得
式中,
θ
s
为次级支路电流滞后初级电流的角度,且
;
ω
e
为初级角频率。
令∂ / ∂ t =j ω e ,代入式(2-2)得
和
的形式相近,将式(2-7)代入式(2-10)整理得
进一步求出次级基波磁通密度为
式中,
G
为电机品质因数,且
。
因此,由式(2-8)、式(2-9)和式(2-12)得次级绕组函数的基波分量的复数形式为
进一步分解到 α-β 后,可以得到次级绕组函数的基波分量为
采用上面类似的方法,可求解次级绕组函数的边端效应分量。边端效应磁通密度为
需要由式(2-2)的暂态方程求出,即
采用分离变量法,设
有如下形式
[18]
:
把式(2-17)代入式(2-16),并用任意常数 λ 作为中间变量,可得
解
,可得
由式(2-18)的另一个等式得
假设 B re ( x )= D exp( γx ),其中 D 和 γ 为待定系数,代入式(2-20)后得特征方程为
可求得上式的解为
即
B
re
(
x
)=
D
1
exp(
γ
1
x
)+
D
2
exp(
γ
2
x
),结合式(2-17)和式(2-19),
表达式演化为
式(2-23)的右边分别为入端和出端磁通密度;
C
1
和
C
2
是待定系数,需根据电机端部的电流密度和磁通密度的边界条件确定。因为
的激励源是初级电流,它随时间按照初级电源角频率变化
[18]
,所以中间变量
λ
=j
ω
e
。
把 λ 的解代入式(2-22),并令
式中, X 和 Y 为正实数,且有
由式(2-22)和式(2-24)求解可得
上述变量中, α 1 为气隙入端磁通密度行波的透入深度(表征波形传输距离的能力), α 2 为气隙出端磁通密度行波的透入深度, τ e 为边端效应磁通密度行波的半波长,它们与电机的气隙和次级板电导率的大小相关,其变化如图2-5~图2-7所示。分别表明了入端、出端磁通密度行波的透入深度 α 1 、 α 2 和端部效应磁通密度行波的半波长 τ e 随气隙和次级电阻率的变化趋势。对于轨交牵引LIM,其入端磁通密度行波多数情况下传输范围为1m左右,而出端波只有几毫米。换言之,即入端磁通密度行波能到达初级的整个覆盖范围,而出端波衰减很快,传输距离很短。半波长 τ e 通常为0.1m以上,它和牵引电机的极距接近,即端部效应波的传输速度和基波的速度相当。文献[326]表明,出端磁通密度行波对电机推力影响很小,通常可以忽略不计,多数情况下只考虑入端磁通密度行波的作用。
图2-5 入端磁通密度行波的透入深度 α 1 随速度变化
图2-6 出端磁通密度行波的透入深度 α 2 随速度变化
综上所述,电机气隙磁通密度
为
式中,
。
图2-7 边端效应磁通密度行波的半波长 τ e 随速度变化
同理可得
当 x ≤0时,气隙磁通密度只有出端行波分量,假设为
当 x ≥ pτ 时,气隙磁通密度只有入端行波分量,假设为
根据出端、入端磁通密度和次级导板出端、入端感应涡流连续性原理,得到如下等式:
根据式(2-25)~式(2-29),求得待定系数 C 0 ~ C 3 为
在端部效应磁通密度行波中,因为出端边端效应磁通密度行波对电机特性的影响较小,这里只考虑入端边端效应磁通密度行波,即只考虑
C
1
exp(
γ
1
x
)项。结合
γ
1
和
γ
2
的表达式,
C
1
和
简化为
在LIM运行中,初级绕组不断进入没有磁场的次级区域。由楞次定律,入端气隙磁链瞬时值应保持恒定,次级导板将感应出一个大小相等、方向相反的涡流。根据文献[13]的推导,可知平均涡流大小
和励磁电流
的关系为
式中,
,其中
,
L
为电机长度,
R
r
为次级电阻,
L
r
为次级电感;因此
K
是一个与电机速度和结构参数相关的函数。
根据LIM的一维场理论,可知励磁电流和初级相电流的关系,进一步推出平均涡流和初级电流的关系为
由式(2-15)、式(2-31)和式(2-33)得到次级绕组函数边端效应分量的复数形式为
进一步得
式中,
;
。
到此为止,本节推导求出了LIM的初级绕组函数、次级基波分量绕组函数、次级边端效应分量绕组函数,为后面等效电路的建立奠定了基础。