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当电源的工作电压相对较小（<100V）时，硅单极型器件具有较好的性能。当电路工作电压相对较大（>100V）时，硅双极型器件具有更好的特性。宽禁带半导体功率器件（例如碳化硅）能将单极型器件的工作电压扩大到5000V以上。在现代电源电路中，通常使用功率晶体管作为开关来调节流向负载的功率流，同时使用功率整流器来控制电流的方向。随着高性能功率开关的出现（如功率MOSFET和IGBT），功率二极管的性能成为限制功率电路的主要因素。
传统的单极型功率二极管为肖特基结构，传统的双极型功率二极管为PiN结构。为了与高性能功率开关器件相匹配，新型功率二极管的结构不断涌现，下面分别进行介绍。