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对于肖特基二极管来说，需要通过优化肖特基势垒高度来折中通态（或传导）功耗与反向阻断功耗。随着肖特基势垒高度的降低，通态压降随之降低，使得通态功耗减小。但同时，较小的势垒高度会导致漏电流增加，从而导致较大的反向阻断功耗的形成。虽然可通过降低肖特基势垒高度来降低功耗，但代价是降低了最高工作温度。肖特基势垒高度的降低和击穿前雪崩倍增现象，使得漏电流随着反向偏置电压的增加而快速增加，因此此优化无法实现。引入横向电场降低肖特基表面电场强度可改善肖特基二极管的性能，下面介绍两种二维电荷耦合单极型功率二极管。
