第2章
单极型功率二极管

传统的单极型功率二极管为肖特基二极管，是通过金属和半导体漂移区之间的非线性电接触形成的。因为肖特基二极管具有较低的通态压降和快速的开关特性，并且可以用硅生产技术制成，因此在电力电子应用中是非常引人注意的单极型器件，广泛应用于低压电源电路中。硅肖特基二极管的最大击穿电压受漂移区电阻增加的限制，漂移区电阻随击穿电压的增加而增加，限制了肖特基二极管的最大击穿电压，因此市场上能买到的肖特基二极管的击穿电压通常低于100V。

本章介绍肖特基二极管的结构、定义及组成部分，从正向、反向两种工作模式讨论了器件的电流传输机制。

由于肖特基势垒降低效应强烈地影响着硅肖特基二极管的漏电流，本章在肖特基二极管理论的基础上，以结势垒控制肖特基（JBS）二极管为主介绍改进型的单极型功率二极管。