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目前硅基功率半导体器件的未来发展方向依然是高耐压、大电流、高容量、低损耗及快速高频等。图1.21为几种功率半导体器件的工作频率和功率容量，其中实线为现状，虚线为未来的发展趋势。
图1.21 功率半导体器件的工作频率与功率容量
碳化硅（SiC）材料具有临界电场强度高、热导率高和饱和漂移速度高的特点，因此可以在耐压、导通电阻和温度特性方面取得良好的折中。用SiC材料制得的各种耐高温、高频、大功率器件，可以应用于普通硅器件难以胜任的场合，扩大了功率半导体器件的应用范围。
SPIC的发展趋势是工作频率更高、功率更大、功耗更低、功能更全。