双极型功率晶体管虽然存在二次击穿、安全工作区受各项参数影响而变化大、热容量小、过电流能力弱等缺点，学术界也一直有双极型功率晶体管将被功率MOS器件和IGBT所取代的观点，但由于其成熟的加工工艺、极高的成品率和较低的成本，使双极型功率晶体管仍然在功率开关器件里占有一席之地。 VfIN38NnaFtjSSsm33vltMUY0jQdGIV7T/fjfwR7F7oEzB3uHVBXn2r11i+nB2l2
