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1.5 功率半导体开关器件

功率半导体开关器件从结构上来分可分为晶闸管类和功率晶体管类,功率晶体管包括GTR、功率MOSFET和IGBT。从工作机理上分,晶闸管类和GTR属于双极型器件,功率MOSFET属于单极型器件,IGBT为单双极复合型器件。一般来说,阻断电压小于100V(随着超级结功率MOSFET的出现,这个极限被打破),开关速度大于100kHz时,选择功率MOSFET,当电压超过300V,IGBT更有优势,因为它的通态压降更低,晶闸管类器件适合有更高阻断电压的场合。 H0waguNjP+F++EkoPm4oMrryOHY9k+7TxBGegWylvgA65T3a03p/+0jXCqQGtYkc

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