功率半导体开关器件从结构上来分可分为晶闸管类和功率晶体管类，功率晶体管包括GTR、功率MOSFET和IGBT。从工作机理上分，晶闸管类和GTR属于双极型器件，功率MOSFET属于单极型器件，IGBT为单双极复合型器件。一般来说，阻断电压小于100V（随着超级结功率MOSFET的出现，这个极限被打破），开关速度大于100kHz时，选择功率MOSFET，当电压超过300V，IGBT更有优势，因为它的通态压降更低，晶闸管类器件适合有更高阻断电压的场合。 Bz03Ocm4NL//Pm5OaAueese4EKXYUgaGvgcu+gMD91r6ytBIXX9WzbF+hU9dl61Q
