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在第二章中单移相控制下，图3.1所示的T 2 -DAB变换器在电压不匹配与轻载情况下开关管可能丢失ZVS开通，增大开关损耗。由于DAB变换器功率正向与反向传输时工作模态是对称的，以功率由中压侧向低压侧传输为例，在第2章中的参数设计要求（即额定移相角 φ N <60°）下，对开关管ZVS情况进行分析。
如图3.2所示为T 2 -DAB变换器ZVS情况下的典型工作波形，根据移相时间 t φ 与死区时间 t dead 的关系，在计算开关管Q 1 与S 1 的开通电流时需分情况讨论。对于开关管Q 1 ，当死区时间 t dead 小于移相时间 φT s /（2π）时，可根据图3.2a对开关管Q 1 的开通电流进行计算，如式（3.1）所示；当死区时间 t dead ≥ φT s /（2π），典型ZVS波形如图3.2b所示，在 t 2 时刻关断S 2 时， i pa 迅速上升，但由于该情况下T 2 -DAB变换器中、低压端口电压不匹配， i pa 未过零，若在死区时间结束时，电流 i pa 仍保持为负，即可实现Q 1 的ZVS开通。由此可知该情况下Q 1 的开通电流 I Q1_on 表达式如式（3.2）所示。
图3.1 T 2 -DAB变换器拓扑结构
图3.2 T 2 -DAB变换器不同ZVS情况下典型工作波形
同理可得低压侧开关管S 1 的开通电流 I S1_on 表达式如式（3.3）与式（3.4）所示，也需根据死区时间与移相时间的关系分两种情况讨论。
不考虑器件寄生电容对软开关的影响，那么只要开关管开通电流小于0，即可实现ZVS开通。以第2章中表2.5的实验参数为例，死区时间 t dead 设置为1μs。中压端口电压 V M 在480～720V（±20%额定电压）范围内变化，控制低压端口电压 V L 稳定在200V，可得中压侧与低压侧开关管的开通电流与非ZVS区域随 V M 与传输功率 P tot 变化的曲面，如图3.3所示。当 V M =600V，即中、低压端口电压匹配时，Q 1 在接近半载（ P tot =800W）情况下已丢失ZVS开通。根据式（3.1）与式（3.2），随着 V M 的减小，Q 1 的开通电流 I Q1_on 增大，导致开关管丢失ZVS开通，因此，如图3.3a所示，中压侧开关管的硬开关区域随 V M 的减小而增大。同理，如图3.3b所示，随 V M 增大，低压侧开关管的硬开关区域增加。
图3.3 中、低压侧开关管开通电流随输入电压与传输功率变化曲面
由于传统单移相控制策略中只有移相角一个控制自由度可以调节，因而无法在实现传输功率控制的基础上，进一步优化开关管的软开关特性。根据2.1节中所述，串联式与并联式 n 相桥均可分解为多个半桥模块。而对于半桥型DAB变换器，非对称占空比控制策略是拓展其ZVS开关、优化运行性能的一种有效手段。受此启发，本章分别对中、低压侧三相桥引入非对称占空比调制策略，以增加优化开关管ZVS与电流应力的控制自由度。