最弱受约束电子理论最新章节_郑能武著

2.5 最弱受约束电子理论的要点

最弱受约束电子理论的要点归纳如下：

（1） N 电子体系逐级电离移走最弱受约束电子的全过程和逐一加入电子构造 N 电子体系的类奥夫保全过程，互为逆过程。两者构成一个封闭的循环。移走和加入电子为处理 N 电子原子、分子问题展现了两种拓扑等价模式。两种模式仅仅是给电子重新命名，因而体系的哈密顿量不变。

两种模式意味着电子可集中在一个体系中处理，也可一个个处理。可体现全同粒子的不可分辨性和反对称原理；又为电子的可分离性找到理论依据，彰显电子的个性。

两种模式下都有

也即具有共同的量子化学选定的总电子能量的零点状态。

（2）每次移走或加入电子，都伴随弛豫效应，即由于电子数的变化，导致电子数变化前后体系中所有单粒子态发生变化。

（3）在移走电子的模式下， N 电子原子问题可以作为 N 个子系统中的最弱受约束电子问题处理。在子系统A ^μ 中，WBE _μ 运动在（ N - μ ）个非最弱受约束电子和核产生的势场之中；体系的相对论或非相对论哈密顿算符可以写成 N 个最弱受约束电子的相对论或非相对论单电子哈密顿算符之和，即具有加和性；最弱受约束电子 μ 的单电子能量 ε _μ 等于体系第 μ 级电离能的负值，即

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