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2019年OFC的主题之一，“做25Gb/s的工业级温度的DFB激光器”。
20世纪70年代，在低于零下190℃时，一个P型和一个N型的砷化镓半导体组成一个PN结。
P型半导体，里边有空穴。
N型半导体，里边有自由电子。
P电极使劲儿抽取电子，N电极不断输送电子，温度越低则电子的动能越小。
所以，温度低到零下190℃时，电子动能足够小，也许空穴和电子就能键合态，电子的动能就被释放出来，这个能量叫“光子”。
一颗电子，释放的能量大的，那种光子，就是短波长的光。
一颗电子，释放的动能小的，那种光子，波长比较长。
再后来，P型用两种材料来做。
上头那层材料，就是挡一下电子的动能，增加电子和空穴的复合概率，让这种材料多释放光子。这叫“异质结”。
以前同质PN结，要想让电子动能降下来，就得温度不断地降低。
现在异质结了，材料本身可以帮助电子降低动能，那就有室温工作的可能性。
上下两层都用不同的材料体系，就叫双异质结，道理是一样的，两头堵住人家电子的动能。摁住，去和空穴复合。
20世纪70年代末，80年代初，制作工艺能力提高了，以前是液相外延，现在可以做气相外延，主要就是材料层能做到原子级别，很薄很薄，就叫量子阱。
量子阱的作用，是电子的动能降低很多，空穴的捕获能力也增强，这样就增加了电子和空穴的复合率。
从应用角度看，出光功率增加，阈值电流降低，激光器斜效率增加。
多量子阱，是半导体激光器的一个大里程碑点，激光器可以在室温工作了，电子空穴的复合效率高，光功率提高，阈值电流也降低，PN结电容的改善，RC常数降低，响应频率就提高了。
再接着，发现新问题，发光的横模有兔耳朵的现象。
那就改波导结构，就有了各种各样的波导结构，深脊型波导、浅脊型波导、掩埋型波导……总之就是让光的横向模式变得越来越好，传输距离也变长了。
横模变成单模，有了单横模，还要单纵模，纵模支持传输更远的距离，再就有了光栅，单纵模，传输距离更长。
这个时候，20世纪90年代，激光器可工作在室温，光模块用DFB激光器，还得加TEC呢。
怎么去掉TEC，让DFB能工作在高温，之前不能工作在高温的原因，是咱们要限制电子的动能，让它和空穴复合，可是温度越高，电子动能就是增加的。换句话说，到了70，85，95℃的时候，电子的动能就限制不住了。大约在20世纪90年代末，大家关注的就是怎么在高温下限制电子的动能。
这时候提出来的是，量子阱的材料体系，InGaAsP，InGaAlAs，传说中含铝的材料，它的量子阱结构，对电子动能限制得更狠一些。
总之，高温也不能动摇我们限制动能，把电子拦下去复合产生光子，这个终极目标。
2000—2005年，这个阶段，就是不断改善非制冷DFB的一个产业化阶段。
再之后，就是提高单模率，比如1/4相移光栅。
1/4相移光栅，可以提高单模率，但在更高速的应用里，1/4相移部分就会产生电子聚集，影响信号速率，影响激光器带宽。
在这两三年，2015年之后，数据中心的100G应用，需要大量的25G DFB激光器，大家发现1/4相移光栅，不好用了。
有了非对称相移光栅，相移依然可以提高单模率，但是相移的节距拉开了，这就不会在相移的那个点聚集大量的载流子，影响频率响应，也容易烧坏激光器，它的相移区域是在中间区域缓慢分布。
这一半年，5G是新的布局应用领域，对激光器的要求，就是怎么把用于数据中心室内温度有限的25G激光器，提升到95℃以上（光模块的温度是85℃，激光器在内部会发热，实际温度比模块外壳要高十多摄氏度）。
