很多情况下,物质吸收入射光后,光子的能量会将电子激发到高能级,处于高能态的受激电子通常会很快回到基态。但是有两种情况例外,一种情况是光照射金属时,波长足够短的光会激发金属中的电子,电子获得足够的能量后从金属表面逸出,这种物理现象称为光电效应。爱因斯坦用量子论提出了 E = hν ,成功地解释了光电效应现象,并因此于1921年获得诺贝尔物理学奖。当给利用光电效应制作的光电管接通外部的电源时,光照射后负载上就会有电流流过。另一种情况是在具有pn结的半导体中,电子受激后形成电子-空穴对,在内建电场作用下,电子在返回基态前会与空穴分离,进入导带,在半导体中pn结的两端形成电势差,这种现象称为光生伏打效应(简称光伏效应),若接通外部电路就能驱动负载。光电效应和光伏效应如图1-1所示。
图1-1 光电效应和光伏效应
光伏效应在1839年由法国物理学家亚历山大·埃德蒙·贝克勒尔(Alexandre-Edmond Becquerel)首先发现。他发现电解液中镀银的白金电极之间在光照下会产生光生电压。
1953年,美国贝尔实验室研究人员达里尔·切宾(Daryl Chapin)、加尔文·富勒(Calvin Fuller)和吉拉德·皮尔森(Gerald Pearson)三位科学家在对Si材料的研究中发现,在光照下Si会产生光伏效应,并研制成转换效率为4.5%的单晶硅太阳电池,几个月后该转换效率提高到6%,从此开始了阳光发电能源的开发和应用历程。1958年,美国和苏联相继将太阳电池应用于航天工程,将其作为人造卫星电源。自20世纪70年代以来,国内外许多科研人员做了大量的理论研究工作。 [1]
皮尔森(左)、切宾(中)、富勒(右)
图1-2 晶体硅太阳电池发明人