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了解器件的物理原理很重要，但晶体管模型（例如BSIM）也很重要。以下练习都是关于使用带有SPICE仿真的晶体管模型（使用表2.6和表2.7），以确定用于手动计算的参数（最简单的模型或建模）（练习的结果见表2.8和表2.9）：
1）模型文件中提供了长沟道和短沟道器件的阈值电压（见表2.6和表2.7）。但是，对于短沟道器件，可以使用g m 与V GS 来确定阈值电压。当g m 为零（V GS 等于阈值电压）时，可以将线性g m 外推到x轴以估算V GS 。
表2.6 美国Microsystem Inc（AMI）半导体C 5 工艺的BSIM 3 模型
表2.7 制化的工艺预测技术模型（PTM）45 PMOS
2）跨导参数KP在模型文件中提供，或者可以计算为KP=μC OX 。但是，该参数对于短沟道器件没有用处。其他参数（如氧化层厚度）在模型文件中提供。由于ε OX 很容易知道，因此可以计算C OX 。饱和速度v sat 适用于短沟道器件，该值也可以在模型文件中找到。
3）λ为沟道长度调制系数，
。输出电阻r
o
是通过使用模型文件（见表2.6和表2.7）对晶体管进行仿真得到的。
4）对于短沟道器件，当V
GS
=0V时，关断电流是
。
表2.8 长沟道CMOS工艺器件特征
注：V SG ＝1.25 V，PMOS W/L=20/2, V GS =1.01 V, NMOS W/L=10/2, I d =20μA。
表2.9 短沟道CMOS工艺器件特征
注：V SG ＝0.46 V，PMOS W/L=5μm/100 nm，V SG =0.4 V，NMOS W/L=2.5μm/100 nm，I d =10μA，驱动电压约为5%V DD （1 V）。