典型的光电检测器器件是光电二极管和光电晶体管。典型的光电二极管器件有N+/Psub、P+/N_well、N_well/Psub和P+/N_well/Psub（背对背二极管） ［1］ ，光电晶体管器件有P+/N_well/Psub（垂直晶体管）、P+/N_well/P+（横向晶体管）和N_well/栅极（并列光电晶体管） ［1］ 。

标准光电器件仍需要微透镜和色彩滤波阵列。标准CMOS中光电二极管的量子效率通常低于0.3 ［2］ 。

图2.8显示了光电器件的横截面。通常，为改进的CMOS工艺开发的器件有光栅、钉扎光电二极管和非晶硅二极管。这些器件将提高CMOS图像传感器（CIS）的灵敏度。具有低暗电流的钉扎光电二极管为CIS提供了良好的成像特性 ［3］ 。