图2.1描述了电子从价带到导带的运动。

2.2.1　费米能级

图2.2显示了本征硅、P型硅、N型硅和PN结二极管的费米能级。

2.2.2　耗尽层电容

PN结的形成导致在PN界面处形成耗尽层。耗尽层是指可动空穴或电子耗尽的区域。如图2.3所示，空穴穿过PN结，到达右边。

图2.4显示了一个N阱/P衬底二极管。图2.5显示了二极管反向时的总二极管耗尽电容。

2.2.3　存储电容

图2.6描述了正向偏置二极管中的电荷分布。二极管反向恢复测试电路如图2.7所示。