如前所述，粉体石墨烯结构的生长机制与CVD石墨烯在平面衬底上的生长机制是相似的。在金属催化生长路线中，金属衬底加速了碳氢化合物分子的分解，促进CH x 活性物种的C—C偶联和石墨烯的完美晶格排列，因为它既用作催化剂又用作支撑模板。然而，在无催化剂的CVD生长路线中，石墨烯的初始成核和随后的生长过程非常缓慢，主要依赖于烃分子的热分解。因此，了解这些CVD生长过程的基本原理对于调控粉体石墨烯材料的结构特征至关重要。具体而言，调整粉体石墨烯结构可以开发其独特性质，达到有针对性的应用（诸如能量存储和转换），这是非常重要的。除了常规参数（例如生长温度、压力、气体流量、催化剂等）之外，由于三维生长基底的特殊性和复杂性，应合理考虑基底形态、碳源类型和生长动力学。 blB8CKGb0rSOec17bH7N9g3MvnQGC79uz3BGLSrAHrljPGDpLY7Rp31uukAWzrZA