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1.4.4 聚合物模板

Lee等报道了一种通过使用金属盐作为催化剂的前驱体辅助CVD法的独特路线,获得了可批量生产的具有大表面积和高导电性的介孔石墨烯纳米球(Mesoporous Graphene Ball, MGB)。通过在CVD工艺中将金属前体还原成金属催化剂,为均匀涂抹在羧基和磺酸基官能化的聚苯乙烯(PS)小球上的金属前驱体溶液提供了三维金属框架,并且起到了辅助石墨烯生长的作用。

为了使亲水性的离子前体溶液均匀地涂敷在疏水的PS球表面,要先对PS进行官能化,如图1-53(a)所示。先通过乳液聚合合成羧基化的PS(PS-COOH),然后对羧基化PS进行磺化(SPS-COOH)。为了提高PS小球在随后进行磺化反应的离子前体水溶液中的分散性,需要首先合成出PS-COOH小球。SPS-COOH在离子前体溶液中的均匀分散是源于强吸电子的基团(—COOH,—SO 3 H)和三氯化铁溶液中的三价铁离子之间的静电相互作用,这使得铁离子可以足量吸附在小球表面。实际上,通过单一的羧基基团官能化的PS-COOH小球是不能让三氯化铁均匀包覆的,最终会导致形成的石墨烯片层不佳。这是因为与磺酸基相比,羧基的离子强度较低。实验中观察到—SO 3 H/—COOH的比值超过0.6时,会生成均匀的分散体,因此三氯化铁可以均匀包覆,也可以实现铁原子的致密堆积。将此法制得的SPS-COOH和三氯化铁的混合物滴在一个300nm的SiO 2 /Si基底上,然后在烘箱中室温干燥。与普通的金属催化剂(如铜、镍)相比,铁具有更好的可腐蚀性,而且更重要的是其熔点高,这有助于在CVD法的高温下维持纳米形貌。

图1-53 介孔石墨烯纳米球的合成示意

在SiO 2 /Si基底上完全干燥的FeCl 3 /SPS-COOH的3D复合物在H 2 /Ar气氛下的石英管中被加热到1000℃。在氢气气氛高温(大于700℃)热处理的过程中,SPS-COOH聚合物小球和铁离子经历不同的转化,之前通过静电相互作用吸附在SPS-COOH表面的铁离子被还原成金属铁,还原铁为多层石墨烯的生长起到了三维纳米架构和催化剂的作用。铁团簇的纳米结构首先是从铁粒子凝聚,随后铁在高温热处理条件下渗入柔软的PS小球中形成的。最后,将产物放在3%的HCl溶液中6h,铁会被完全刻蚀,留下MGB结构。

图1-54展示了通过前体辅助CVD生长法制备的聚合物小球和MGB的形貌。图1-54(a)中的SEM图显示出SPS-COOH小球拥有几乎相同的尺寸(直径为250nm)和相貌。为了获得统一尺寸和形貌的MGB,在三氯化铁溶液中制备合适的分散体是很重要的。正如已观察到的光滑的表面形貌所示,PS-COOH表面的苯乙烯部分通过对PS-COOH的磺化变得亲水,通过在苯乙烯对位的一个亲电取代反应制得了高度分散的SPS-COOH水溶液。图1-54(b)是由FeCl 3 /SPS-COOH制备的MGB的SEM图。通过前体辅助CVD法在H 2 /Ar气氛中聚合物小球被成功地转化为球形MGB而没有任何明显的塌陷。如图1-54(c)(d)所示,通过对HRTEM图进一步观察,证实形成了平均孔直径为4.27nm的MGB。图1-54(c)的插图确定了形成的多层石墨烯具有3.4Å [2] 的晶格间距。

图1-54

(a)SPS-COOH的SEM图;(b)MGB的SEM图,插图为单个介孔石墨烯球的SEM图;(c)取自样本边缘的MGB的HRTEM图;(d)单个石墨烯球的放大图 Uj+FrUPc/BaMFmlp36TC0Dl6V8Imab+Fln+2ptaVslQ3XQ0qHvUQurcJKWOW5U9Q

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