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Li等采用CVD法合成了包裹硅颗粒的石墨烯笼。先通过化学法在硅颗粒上包覆一层镍作为催化层和牺牲层，随后在185℃的三甘醇溶液中碳化，最后在450℃下进行低温镍催化的CVD合成[图1-49（a）]。用FeCl 3 水溶液除去镍催化剂层后，从TEM分析可以看出，在多层石墨烯笼和硅微粒之间形成了空隙[图1-49（c）]。由于石墨烯在有镍分布的硅微粒表面上有共形生长行为，石墨烯笼表现出波浪状结构[图1-49（d）]。完全去除硅微粒后，石墨烯笼结构仍得到保留[图1-49（e）]。
图1-49 石墨烯笼的合成与表征
从透射电子显微镜图像[图1-49（d）]可以明显观察到石墨烯笼的多层结构（约10nm）。石墨烯是沿沉积在硅微米颗粒上的大颗粒镍生长的，因此呈现出波状结构。石墨烯笼结构较为稳定，在整个弯曲区域保持连续，即使用NaOH水溶液完全去除硅后，自支撑石墨烯笼仍保持结构稳定。