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3.1.1 自感式传感器结构与工作原理

自感式传感器结构如图3-1所示。它由线圈、铁芯和衔铁三部分组成,铁芯和衔铁由导磁材料如硅钢片等材料制成,在铁芯和衔铁之间留有空气隙 δ 。被测物与衔铁相连,当衔铁移动时,气隙厚度 δ 发生改变而引起磁路中磁阻变化,从而导致电感线圈的电感值变化,只要能测出这种电感量的变化,就能确定衔铁位移量的大小和方向。电感量的变化通过测量电路转换为电压、电流或频率的变化,从而实现对被测物位移的检测。

图3-1 自感式传感器结构图

当线圈的匝数为 N ,流过线圈的电流为 I (A),磁路磁通为 Φ (Wb),则根据电磁感应原理,可得电感量表达式为

式中: Ψ 为线圈总磁链; I 为通过线圈的电流; N 为线圈的匝数; Φ 为穿过线圈的磁通。

由磁路欧姆定律得 Φ R m 为磁路总磁阻,因而有

磁阻 R m 包括铁芯、衔铁和气隙中的磁阻三部分。对于变隙式传感器,因为气隙很小,所以可以认为气隙中的磁场是均匀的,若忽略磁路磁损,则磁路总磁阻为

式中: μ 1为铁芯材料的导磁率; μ 2为衔铁材料的导磁率; L 1 为磁通通过铁芯的长度; L 2 为磁通通过衔铁的长度; A 1 为铁芯的截面积; A 2 为衔铁的截面积; A 为气隙的截面积; μ 0为空气的导磁率, μ 0=4π×10- 7 H/m; δ 为气隙的厚度。

对于一般导磁体,它的导磁率远大于空气的导磁率,即有: 式(3-3)简写为 R m ,从而可得

上式表明当线圈匝数 N 为常数时,电感 L 仅仅是磁路中磁阻 R m 的函数。如果 A 保持不变,则 L δ 的单值函数,构成变气隙式自感传感器,如图3-1(a)所示。若保持 δ 不变,使 A 随被测量(如位移)变化,则构成变截面式自感传感器,如图3-1(b)所示。前者常用来测量线位移,后者常用于测量角位移。使用最广泛的是变气隙厚度 δ 式电感传感器。 8w8v3v0WDaCu2LN0E5JFDcV++8aACUowRvNVT27nvLj+OJyoO1WddvJv+L9wyLeA

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