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压力传感器主要由三部分组成：感压部分，直接承受被测应力；转换部分，将待测应力转换为电信号；激励部分，外加的激励电源。在硅弹性膜片上，用半导体器件制造技术在确定晶向上制作相同的四个感压电阻，将它们连接成惠斯登电桥，接上外加电源，就构成了基本的压力传感器。
图2－37所示为硅压阻式压力传感器结构图，主要由外壳、硅膜片及引线等组成，其核心部分是一块圆形膜片，在膜片上利用集成电路的成形工艺方法设置了四个阻值相同的电阻，构成平衡电桥的四个桥臂。膜片的四周用一圆环（硅环）固定，如图2－38所示。膜片的两边有两个压力腔：一个是和被测系统相连接的高压腔；另一个是低压腔，通常与大气相通。
图2－37 固态压力传感器结构图
图2－38 硅环上法线为〈110〉晶向的膜片
压阻式传感器的基本应用就是测压，其工作原理如上所述。但是，根据不同的使用要求，它的结构形式、外形尺寸和材料选择，有很大的差异。例如，用于动态或点压力测量，则要求体积很小，生物医学用传感器，尤其是植入式传感器，则更要求微型化，其材料选取还应考虑与生物体相容；化工领域或在有腐蚀性气体、液体中使用的传感器，则要求防爆、防腐蚀；在岩土力学研究中使用的传感器，则应考虑岩土与传感器材料的匹配，以及由于传感器的埋入而对原有应力场的影响等问题；气象部门要用绝对压力传感器，它在结构及形式上要考虑真空腔的设计；石油勘探部门不仅要求量程能达600大气压，而且温度要求在200℃下使用，如此等等。用户应根据自己的需要，选用合适的产品。
压阻式压力传感器的性能指标主要有：
（1）量程：目前最高量程达6×10 5 Pa；
（2）精度：一般在0.2％～0.5％FS之间，最高达0.1％FS；
（3）满量程输出：通常不低于几十毫伏；
（4）零点温漂：每摄氏度引起零位输出漂移，一般要求小于5×10 －3 FS／℃；
（5）零点时漂：要求小于0.3％FS／4h；
（6）阻抗：从几十欧到几千欧不等，用户可根据阻抗匹配及功耗要求进行选择；
（7）工作电压：一般5～10V；
（8）工作温度：一般不高于80℃，但专门设计制造的高温传感器可达400℃。
目前，国内生产扩散硅压力传感器的厂家很多，选用时可参考厂家说明书。