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从表 2-5 的测量结果看，当b极电流 I b 变化 0.05mA（0.15mA−0.1mA）时，c极电流 I c 相应变化 2mA（6mA−4mA），e极电流 I e 相应变化 2.05mA（6.15mA−4.1mA）。这表明b极电流有较小变化，就会导致c、e极电流有较大的变化。通俗地讲，从b极送入小电流，被三极管放大后，就能从c、e极输出大电流。
图 2-10 三极管中载流子的运动
图 2-10 中NPN型三极管放大直流电，就是它在偏置电压作用下导通电流表现出来的特性。只要搞清楚三极管内载流子的运动规律，就能知道它放大直流电的原理。
图 2-10 中发射结加正向电压后，内部载流子的扩散运动大于漂移运动，发射区电子源源不断地越过发射结运动到基区，形成发射区电子流，即产生e极电流 I e 。产生 I e 的外部原因是发射结加正向偏置电压，内部原因是电子运动。同时，基区空穴扩散到发射区，但空穴浓度比电子浓度小许多，与电子电流相比，空穴电流可以忽略。所以， I e 主要决定于电子运动。
发射区电子到达基区后，靠近发射结的电子很多（密），靠近集电结的电子很少（疏），这就形成电子浓度差别，电子便从发射结向集电结扩散。扩散时，电子会与空穴相遇产生复合。电源E 1 的正电场通过基极不断地使基区产生空穴，去与电子复合，从而形成b极电流 I b 。
扩散与复合是三极管中载流子运动的两种表现，三极管放大电流的能力就取决于两者的比例。从图 2-10 中不难看出，由于集电极有电源E 2 正极较大电场的作用，电子在从发射区向集电区扩散的过程中，与空穴复合掉的只是一小部分，扩散到集电区的电子占较大部分，因此，b极电流很小，c极电流很大。
另一方面，基区很薄，仅为几微米到几十微米，电子从发射结向集电结运动的距离很短。发射区电子扩散到基区后，大部分被集电区吸收过去，只有少部分在基区与空穴复合。这进一步表明b极电流 I b 很小。
因为基区很薄，所以穿过发射结的电子能很快到达集电结。集电结反向偏置，形成反向电场，一方面阻止集电区电子向基区扩散；另一方面能加强基区电子向集电区漂移运动，从而越过集电结形成c极电流 I c ，如图 2-10 所示。
可见，产生 I c 的外部原因是集电结加反向电压，内部原因是基区电子能漂移过集电结到集电区。前面讨论过，PN结加反向电压不导通电流，为什么集电结加反向电压，却能导通电流呢？
实际上，单纯地给集电结加反向电压并不能使它导通反向电流。例如，图 2-9 中E 2 +→R→c极→b极→RP→E 1 +→E 1 −→E 2 −的闭合电路，集电结是反偏，就未产生 I c 。加反向偏压的目的，只是建立反向电场，加强基区电子向集电区运动的速度，使扩散到集电结边界的电子能全部漂移到集电区形成 I c ，这与单个PN结加反向偏压不导通电流有根本区别。
综上所述，三极管导通电流始终保持
I
e
=
I
c
+
I
b
，各极电流方向与电子运动方向相反。电子运动存在两个基本特点。
扩散运动与漂移运动同时存在，这是PN结中载流子运动的普遍情况。利用这个特点，在发射结加正向电压，能使发射区向基区发射电子；在集电结加反向电压，可使基区电子更容易地漂移到集电区。
基区扩散与复合运动同时存在，这是三极管的特殊情况，是三极管与其他半导体器件的本质区别，即三极管具有放大电流的作用。
图 2-11 基区过厚
基区做得很薄，扩散进行容易，复合机会减少，三极管就具有良好的电流放大特性。反之，若基区做得过厚，电子从发射结向集电结扩散的路程很长，复合机会将会大增，甚至复合超过扩散，使e极电流与b极电流相等，这时三极管就成为如图 2-11 所示的两个对接的二极管，表现为二极管特性。
图 2-10 中，E 1 是b极回路电源，E 2 是c极回路电源。发射结正向偏置、集电结反向偏置后，不仅b、c极回路导通电流，三极管还能将b极回路小电流放大为c极回路大电流。
在放大直流电流过程中， I b 从b极输入三极管，b极就叫输入端， I b 叫输入电流，b极回路叫输入回路；放大的电流 I c 从c极输出三极管，c极叫输出端， I c 叫输出电流，c极回路叫输出回路。e极称为输入、输出回路的公共端。
在输入回路中，如改变RP的阻值，就会改变发射结正向电压 U be 。根据发射结（PN结）正向特性可知， U be 只要有很小的变化，将引起 I b 发生较大的变化。 I b 经三极管放大，将产生更大的 I c ，在输出回路电阻R上产生电压 U R 。