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场效应晶体管按其结构不同分为两大类，即绝缘栅型场效应晶体管和结型场效应晶体管。绝缘栅型场效应晶体管由金属、氧化物和半导体材料制成，简称MOS管。MOS管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两种，每种类型按其导电沟道不同又分为N沟道和P沟道两种。结型场效应晶体管按其导电沟道不同也分为N沟道和P沟道两种。
以上两种场效应晶体管实物外形、功能特点等如表 3-33 所列，其图形符号如表 3-34 所列。
表 3-33 场效应晶体管实物外形、功能特点
表 3-34 场效应晶体管图形符号
（续表）
场效应晶体管一般具有 3 个极（双栅管具有 4 个极）栅极G、源极S和漏极D，它们的功能分别对应于前述的晶体三极管双极型的基极B、发射极E和集电极C。由于场效应晶体管的源极S和漏极D在结构上是对称的，因此，在实际使用过程中，有一些可以互换。