电工必识元器件直通车最新章节_杨清德著

2.6 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）兼具功率MOSFET的高速开关特性和GTR的低导通压降特性。

IGBT于 1982年开始研制，1986年投产，是发展最快且很有前途的一种混合型器件。目前IGBT产品已经系列化，最大电流达 1800A，最高电压达 4500V，工作频率达 50kHz。

在电动机控制、中频电源、各种开关电源及其他高速低损耗的中小功率领域，IGBT取代了GTR和部分MOSFET。