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电力场效应晶体管分为两种类型，即结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅场效应晶体管（IGFET）。
绝缘栅场效应晶体管中也包含了多种类型。其中，绝缘栅金属—氧化物—半导体场效应晶体管（MOSFET）用得最多。通常所说的电力场效应晶体管是指绝缘栅型中的MOS型，简称电力MODFET。
电力场效应晶体管的特点是输入阻抗高（可达 40MΩ以上）、开关速度快、工作频率高（开关频率可达 1000kHz）、驱动电路简单、需要的驱动功率小、热稳定性好、无二次击穿问题、安全工作区（SOA）宽、电流容量小、耐压低，一般只适用于功率不超过 10kW的电力电子装置。