图2-5显示了MC9S08AW60和9S08AW48 的存储器空间图，图2-6显示了MC9S08AW32和 9S08AW16 的存储器空间图。9S08AW60 系列MCU的整个$0000～$FFFF范围 64 KB的空间分成寄存器、RAM、Flash三大区域，寄存器又分为三组：直接页寄存器（$0000～$006F）、高页寄存器（$1800～$185F）和非易失性寄存器（$FFB0～$FFBF），Flash又分为两组：用户程序Flash区（$0870～$17FF、$1860～$FFAF）和中断复位矢量区（$FFC0～$FFFF）。

下面以MC9S08AW60 为例，对各段存储空间进行简要介绍。

1）$0000～$006F，112 B，直接页寄存器空间（Direct Page Register）

直接页寄存器空间分布着MCU片内外围模块如I/O端口、ADC、IRQ、键盘、定时计数器、SCI、IIC等模块的控制和状态寄存器，CPU通过对这些地址空间的访问实现对片内外围模块的操作。

2）$0070～$086F，2 048 B，用户RAM空间

用户RAM空间用于存放用户程序中的各种变量数据。MC9S08AW16 片内用户RAM只有 1 024 B，其RAM空间地址为$0070～$046F。存储器直接页（$00～$FF）的前 112 B的RAM（$00～$6F）用于模块寄存器，还有 144 B（$70～$FF）可用于用户RAM。这一页是可以直接寻址的，可以用于存放程序中频繁使用的全局变量，是一个非常宝贵的RAM区段。但要注意到，系统堆栈指针SP的复位默认值为$00FF，且入栈时向地址减量方向生长，也就是说，堆栈默认定位在直接页存储空间，占据了部分可直接寻址的用户RAM区。为了把直接页RAM空间留给程序变量，用户程序可在复位初始化时，通过设置SP，把堆栈定位到RAM空间末，例如，可以使SP指向$086F，从而把直接页剩下的 144 B全部留给用户程序变量使用。

3）$0870～$17FF，3 984 B，用户Flash空间

Flash存储器是一种先进的电可擦写型存储器，具有容量大，擦写速度快的特点。MC9S08AW60 的Flash只需单一 5 V/3 V电源就可以实现对Flash存储器的读/写擦除等全部操作。

用户Flash空间用于存储用户程序代码和常数、表格等。此用户Flash空间仅对MC9S08AW60 才可用。对于MC9S08AW48、MC9S08AW32 和MC9S08AW16，此段空间被保留。

4）$1800～$185F，96 B，高页寄存器空间（High Page Register）

分布在此空间的寄存器有：系统复位状态寄存器SRS、系统背景调试强制复位寄存器SBDFR、系统选项寄存器SOPT、系统MCLK控制寄存器SMCLK、系统设备鉴别寄存器SDID、系统实时中断状态和控制寄存器SRTISC、系统电源管理状态和控制寄存器SPMSC、片上调试模块寄存器、Flash模块寄存器、I/O端口控制寄存器等。高页寄存器较少使用，因此它们分布在可直接页寻址的存储空间外，从地址$1800 开始到$185F，共 96 B。

5）$1860～$FFAF，59 216 B，用户Flash空间

同$0870～$17FF用户Flash空间一样，此段用户Flash空间可用于存储用户程序代码和常数、表格等。

6）$FFB0～$FFBF，16 B，非易失性寄存器（Nonuolatile Register）

包括一个 8 B的后门键值，一个 8 位的Flash保护寄存器NVPROT，一个 8 位的Flash选项寄存器NVOPT。这几个寄存器对于用户程序都是只读的，改写它们可以通过改变程序代码，然后重新写入目标代码到Flash来完成。

7）$FFC0～$FFFF，64 B，中断矢量（Interrupt Vecton）空间

该区间用于存放中断向量表，其中最后两个字节$FFFE与$FFFF中放置复位向量地址。有关中断矢量空间的用途请参看第 5 章。

对于MC9S08AW48、MC9S08AW32 和MC9S08AW16，因片内RAM、Flash大小的差别，上述 7 个段的具体分布稍有不同，但各段功能和MC9S08AW60 都是相同的。 kIq2RA4QWuwP80tP2TXaDDfuHGzcN9VR702l2plnEDLGHNXp7ux3UbIIQ4mnU1FF