MC9S08AW系列MCU内部除了HCS08 CPU之外，还有RAM存储器、ROM（或Flash）存储器和片内外围模块（如I/O、AD、Timer、SCI、SPI、IIC等），如图 2-1 所示。

CPU读/写存储器需要通过存储器的地址来进行读/写，CPU和片内外围模块通信需要通过外围模块的地址（寄存器地址）来进行访问。CPU和存储器、外围模块通信本质上都是CPU和不同地址通信，不同地址可以代表不同对象。RAM存储器具有地址，Flash存储器也具有地址，不同存储器和CPU连接就有两种编址方式：独立编址或统一编址。同样，存储器具有地址，各个外围模块（称为模块寄存器）也有地址，存储器、寄存器和CPU连接也有两种编址方式：独立编址或统一编址。

存储器独立编址方式如图 2-2 所示，RAM和Flash的地址各自独立编址，这种编址方式也称为哈佛结构，如MCS-51 系列MCU就采用这种结构。独立编址的好处是可以生成双倍的存储器空间，独立编址的存储器地址出现重迭，但通过不同的控制线并配合不同的指令就可以区分不同存储器。例如在MCS-51 指令系统中，用MOVC指令访问Flash存储器，用MOV或MOVX指令访向RAM存储器。

存储器统一编址方式如图 2-3 所示，RAM和Flash的统一编址在一个地址范围内，分段使用，这种编址方式也称为普林斯顿结构，如Freescale的 08、S08、S12 等系列MCU，Microchip的PIC430 系列MCU就采用这种结构。统一编址所获得的存储器空间比分离编址减半，但通过同一指令再配合不同地址参数就可以区分不同存储器。

在MCU系统中，CPU将片内外围模块如I/O、AD、Timer、SCI、SPI、IIC等都视为内部寄存器处理，这些模块的寄存器统称为模块控制和状态寄存器。与存储器结构相类似，控制和状态寄存器的编址也有相应的两种方案。分离编址方案为寄存器再独立开辟一个空间，用专门的I/O访问控制线与指令实现对其访问。例如，PC中的外围模块就使用独立编址，在汇编指令系统中就使用IN指令与OUT指令对外围模块进行访问。MCS-51 系列MCU的模块控制和状态寄存器独立于RAM存储器和Flash存储器空间，仍属于分离编址。Freescale的 08、S08、S12 系列MCU则将模块控制和状态寄存器与存储器统一编址在一个空间，仅仅分配不同的单元地址而已，因而属于普林斯顿型的统一编址方案。

Freescale的 08、S08、S12 等系列MCU的模块寄存器、RAM、Flash采用统一编址方式，即模块寄存器、RAM、Flash占用同一$0000～$FFFF存储空间的不同范围，分段使用，如图 2-4 所示。它同MCS-51 系列MCU采用的独立编址有极大的差别。可见学习Freescale的MCU能够了解另一种体系结构的MCU，为今后应用Freescale的MCU进行系统设计打下良好基础，对于以后学习与应用其他一些公司的MCU也是极有帮助的。