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场效应晶体管简称场效应管（FET），是一种利用电场效应来控制电流大小的电压型半导体器件，具有PN结结构。图1-36为典型场效应晶体管的外形特点与电路标识方法。
图1-36 典型场效应晶体管的外形特点与电路标识方法
电路图形符号表明场效应晶体管的类型；标识信息主要包括场效应晶体管的类别、序号及型号等。
场效应晶体管的种类多样，不同的类型通常会对应不同的电路图形符号和文字标识。
结型场效应晶体管与电路图形符号的对照关系如图1-37所示。
图1-37 结型场效应晶体管与电路图形符号对照
结型场效应晶体管（JFET）是在一块N型（或P型）半导体材料两边制作P型（或N型）区，从而形成两个PN结，因此称为结型场效应晶体管，可用来制作信号放大器、振荡器和调制器等。
绝缘栅型场效应晶体管与电路图形符号的对照关系如图1-38所示。
图1-38 绝缘栅型场效应晶体管与电路图形符号对照
绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）由金属、氧化物、半导体材料制成，通常简称为MOS场效应晶体管，一般用于音频功率放大、开关电源、逆变器、镇流器、电动机驱动、继电器驱动等电路中。
提示说明
绝缘栅型（MOS）场效应晶体管按其工作方式的不同可分为耗尽型和增强型，同时又都有N沟道及P沟道。不同类型绝缘栅型场效应晶体管的电路图形符号也有所区别，如图1-39所示。
图1-39 绝缘栅型场效应晶体管的电路图形符号